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氮氧硅栅介质MOS器件NBTI特性研究的任务书
任务书：
1.研究目的
本次研究旨在探究氮氧硅栅介质MOS器件在长时间高温老化过程中所产生的负迁移效应（NBTI）特性及其变化规律，为该类器件的可靠性评估提供参考。
2.研究内容
（1）搜集氮氧硅栅介质MOS器件的相关资料，了解其基本结构及工作原理；
（2）通过实验室自行设计开发具有良好NBTI特性的器件，并建立其测试方法，如对耗时或重复性试验进行处理或建立适当的模型进行预测；
（3）设计实验方案，考虑到温度、时间、负偏压和电场等因素对NBTI特性的影响，对器件进行长时间高温老化处理，并记录器件特性的变化情况；
（4）采用电学测试等方法分析研究数据，探究NBTI特性变化与处理条件、器件结构等因素之间的关系，以掌握器件的可靠性特性；
（5）总结研究结果，提出相应的结论，并根据研究结论对氮氧硅栅介质MOS器件的可靠性进行评估。
3.研究意义
（1）深入了解氮氧硅栅介质MOS器件的NBTI特性及其变化规律，为该类器件在实际应用中的可靠性提供科学依据；
（2）提高对氮氧硅栅介质MOS器件制备与工艺的理解和掌握，为器件的优化设计提供参考；
（3）为其他类似器件的可靠性研究提供借鉴和参考。
4.研究进度
本研究计划为期六个月，具体进度如下：
第1-2个月：研究相关资料，自行设计开发具有良好NBTI特性的器件，并建立其测试方法；
第3-4个月：设计实验方案，考虑到温度、时间、负偏压和电场等因素对NBTI特性的影响，对器件进行长时间高温老化处理，并记录器件特性的变化情况；
第5-6个月：采用电学测试等方法分析研究数据，总结研究结果，提出相应的结论，并根据研究结论对氮氧硅栅介质MOS器件的可靠性进行评估。若研究进展顺利，则可适当调整进度时间。
5.研究成果
（1）科研论文：根据研究结果撰写1篇学术论文，争取在重要国际期刊上发表；
（2）研究报告：对研究过程，数据分析方法和实验结果撰写研究报告，以便对外宣传；
（3）实验数据：整理并归档所取得的实验数据，以供不同需求的读者参考。
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