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- 2024-03-13 发布于四川
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公开了一种可寻址VCSEL芯片及其制备方法和激光雷达,其中,所述可寻址VCSEL芯片包括:具有相对的上表面和下表面的芯片主体和寻址电路结构。所述寻址电路结构包括多条正电连接线和多条负电连接线,以形成所述可寻址VCSEL芯片的电极结构,所述可寻址VCSEL芯片通过对其电极结构进行异构,在实现二维寻址的同时简化了布线结构。且所述可寻址VCSEL芯片的异构电极结构在晶圆级别上形成于所述芯片主体的上表面和/或下表面,便于后续工序中对VCSEL芯片进行倒封装和光学元件集成。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117691459A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202211077158.XG01S7/4865(2020.01)
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