基于gmid的运放电路设计及优化.docx

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基于gm/Id的运放电路设计及优化

摘要

介绍了一种基于gm/Id参数的设计方法，该方法通过对单个MOS管进行仿真，绘制出gm/Id-VGS和Id/(W/L)-VGS关系曲线，并导出数据绘制表格作为设计参量来对电路进行设计。这种方法的主要优点是对于给定的MOS工艺库，gm/Id-VGS与Id/(W/L)-VGS的关系曲线是唯一的，且与晶体管的工作区域无关，故在所有工作区域上都采用统一的设计方法。采用该方法使用cadence软件根据SMIC0.13μm工艺设计一种CMOS运算放大器，具体描述该方法的设计流程。在1.2V电压下，开环增益为86.3dB，GBW为12.