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实验课4组合逻辑的设计
1、使用互补CMOS,实现逻辑表达式:
并要求每条上拉及下拉通路单一串联通路(不包含任何形式的器件并联)的等效电阻与
具有下述尺寸的单位反相器一样〔所有管子的沟道长度取0.5um〕:
NMOS:W/L=1um/0.5um;
PMOS:W/L=3um/0.5um;
①什么样的输入组合可以使所设计的逻辑电路具有最好及最差的上拉特性.什么样的
输入组合可以使其具有最好及最差的下拉特性.
到达最好的上拉特性:
ABCDEFG
翻转前1111101
翻转后0000000
此时上拉网络电阻为(A//B+C//D//E)//F+G,需要对A、B并联网络节点电容与C、
D、E并联网络节点以及输出节点充电
下拉网络电阻为无穷大,无需对下拉网络节点充电
到达最差的上拉特性:
ABCDEFG
翻转前1111101
翻转后0001110
此时上拉网络电阻为〔A//B+C+G〕,需要对A、B并联网络节点电容与C、D、E
并联网络节点以及输出节点充电
下拉网络电阻为无穷大,且需要对(A+B)//(C+D+E)网络节点充电
到达最好的下拉特性:
ABCDEFG
翻转前0000000
翻转后1111111
此时上拉网络电阻为无穷大,无需对上拉网络放电
下拉网络电阻为〔〔A+B〕//〔C+D+E〕+F〕//G,需要对输出节点电容放电到达
最差的下拉特性
ABCDEFG
翻转前0000000
翻转后0011110
此时上拉网络电阻为无穷大,需要对C、D、E并联网络节点与
(A//B+C//D//E)//F+G放电
下拉网络电阻为C+D+E+F,需要对输出节点电容放电
②在输出端接一个10pF的电容,通过仿真确定最好及最差情况下T及T,(仿真
PHLPLH
时可采用10ns的上升/下降时间)
〔1〕当A=B=C=D=E=F=G=1时,有最好的下拉特性;电容放电时间为0.013us;
〔2〕当A=B=C=D=E=F=G=0时,有最好的上拉特性;电容充电时间为0.025us;
〔3〕当
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