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- 2024-03-29 发布于中国
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专题73带电粒子在组合场中的运动
1.受力决定运动,运动反映受力。无论是组合场还是叠加场都要进行正确的受力分析和运动分析,然后画出粒子的运动轨迹,选取合适的物理规律求解。
2.带电粒子在电场、磁场中运动的求解方法
1.(2022·全国·高三专题练习)(多选)如图所示,正三角形ACD内存在垂直纸面向外的匀强磁场,磁感应强度大小为B,圆形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场,∠ADC的角平分线DG的反向延长线正好经过圆心O,AD的延长线与圆相交于E点,且AD=32DE=a,现有一质量为m、电荷量为q的粒子(重力不计)以一定速度沿∠CAD的角平分线垂直磁场射入,粒子恰好经过D
A.粒子一定带正电
B.粒子的初速度为Bqa
C.圆形区域磁场的磁感应强度大小为3
D.粒子从A点到E点经历的时间为5πm
2.(2022·福建省龙岩第一中学模拟预测)(多选)如图所示,第I象限存在垂直于平面向外的磁感应强度为B的匀强磁场,第Ⅲ象限存在沿y轴正方向的匀强电场,已知P点坐标为?L,?2L3。一个质量为m,电荷量为q的带电粒子以3v0的速度从P点沿
电场强度E=4m
B.带电粒子到达O点时的速度大小v=
C.粒子射出磁场位置到O点的距离d=8mv
D.在磁场中带电粒子运动的时间t=
3.(2022·广东·模拟预测)(多选)如图所示的平面直角坐标系xOy,在y轴的左侧存在沿y轴负方向的匀强电场。在y轴的右侧存在垂直坐标平面向外的匀强磁场。一比荷为k的带正电粒子(不计重力),从x轴上的A点以沿着与x轴正方向成θ=53°的初速度v0开始运动,经过电场偏转从y轴的B点以垂直y轴的速度进入磁场,磁感应强度为3v05kd,粒子进入磁场后电场方向变为沿y轴正方向。该带正电粒子经过磁场偏转,粒子先后经过x轴上的C点、y轴上的D点,粒子经D点后,粒子然后再回到x轴的A点,
A.粒子在磁场中做匀速圆周轨迹的半径为d
B.A、C两点之间的距离为3d
C.匀强电场的电场强度为4
D.粒子从A点再回到A点的运动时间为15+5π
4.(多选)如图所示,半径为L的圆边界内存在垂直纸面向里的匀强磁场,ab、cd是圆边界的两个互相垂直的直径,边长为L的正方形defg内存在匀强电场,边长de与直径cd共线,电场与磁场垂直、与gd平行,质量为m、电荷量为q的粒子(不计重力)从a点正对圆心O以初速度v0垂直射入磁场,从d点射出磁场立即进入电场,最后恰好从f
A.粒子带正电
B.电场方向由f指向e
C.粒子在磁场与电场中运动时间的比值为π
D.磁感应强度与电场强度大小的比值为1
5.(多选)如图所示,空间电、磁场分界线与电场方向成45°角,分界面一侧为垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度为B0,另一侧为平行纸面向上的匀强电场。一带电荷量为+q、质量为m的粒子从P点以v0的速度沿垂直电场和磁场的方向射入磁场,一段时间后,粒子恰好又回到P
A.当粒子第一次进入电场时,速度与分界线所成的锐角为45
B.当粒子第二次进入电场时,到P点的距离为2
C.电场强度大小为B
D.粒子回到P点所用的总时间为2π+2
6.(2023·全国·高三专题练习)半导体芯片制造中,常通过离子注入进行掺杂来改变材料的导电性能。如图是离子注入的工作原理示意图,离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器,通过速度选择器的离子经过磁分析器和偏转系统,注入水平面内的晶圆(硅片)。速度选择器中的电场强度的大小为E、方向竖直向上。速度选择器、磁分析器中的磁感应强度方向均垂直纸面向外,大小分别为B1、B2。偏转系统根据需要加合适的电场或者磁场。磁分析器截面的内外半径分别为R1和R2,入口端面竖直,出口端面水平,两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统下边缘与晶圆所在水平面平行,当偏转系统不加电场及磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点(即图中坐标原点)。整个系统置于真空中,不计离子重力及其进入加速电场的初速度。下列说法正确的是()
A.可以利用此系统给晶圆同时注入带正电离子和带负电的离子
B.从磁分析器下端孔N离开的离子,其比荷为2E
C.如果偏转系统只加沿x轴正方向的磁场,则离子会注入到x轴正方向的晶圆上
D.只增大加速电场的电压,可使同种离子注入到晶圆更深处
7.(2022·湖南长沙·模拟预测)(多选)如图甲所示,以两虚线M、N为边界,中间存在平行于纸面且与边界垂直的电场,M、N间电压UMN的变化如图乙所示,电压的大小为U0,周期为T0;M、N两侧为相同的匀强磁场区域Ⅰ、Ⅱ,磁场方向垂直于纸面向里,磁感应强度均为B。t=0时,将一质量为m的带正电粒子从边界线M上的A处由静止释放,经电场加速后进入磁场,粒子在磁场中做圆周运动的周期也为T0。两虚线M、
A.该粒子的比荷q
B.粒子第1次在磁场区域Ⅰ中做圆周运动的的半径R
C.粒
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