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硅纳米线的现代制备方法

作者：王策

来源：《硅谷》2014年第15期

摘要硅纳米线是一种新型的一维纳米材料，其独特的物理特性，使其在光电器件，纳米器件以及微电子电路上有很好的应用。简要概括了目前大规模制备硅纳米线的主流技术：激光烧蚀法、化学气相沉积法、热蒸发法以及金属辅助化学腐蚀法。

关键词硅纳米线；制备；生长机理

中图分类号：TB383文献标识码：A文章编号：1671-7597（2014）15-0110-02

硅基半导体材料是目前整个半导体器件和集成电路的基础，随着集成电路的高密度化，体硅逐渐难以满足微电子制造技术的发展需求。硅纳米线作为一维硅纳米材料，在具有半导体性质的同时，由于其直径与其德布罗意波长相当，还具有不同于体硅材料的量子限制效应［1］、库仑阻塞效应以及光致发光等物理特性。更重要的是硅纳米线和目前的硅基材料有极好的兼容性，因而在未来的纳米半导体材料以及纳米电子器件中具有良好的应用前景［2］。

对于硅纳米线制备方法的研究发展迅速，最初1998年利用照相平板蚀刻技术及扫描隧道显微方法［3~5］得到硅纳米线产量较小，不能满足实际研究需求，同年即采用激光烧蚀法［6~9］制备出大量硅纳米线。目前已有多种方法可制备出大量硅纳米线，目前的主流方法有激光烧蚀法，化学气相沉积法，热气相沉积法以及近年来的金属辅助化学腐蚀法等。而生长机理则包括气液-固（VLS）生长机理，氧化物辅助生长机理及超临界溶液-液-固合成等多种机理。

1激光烧蚀法

激光烧蚀法是一种将固体靶材放入真空或填充某种特定气体的腔体内，靶材在激光烧蚀下快速蒸发及超高速冷却、凝聚，从而形成纳米材料的技术。在以VLS为原理的制备中，金属纳米的颗粒大小决定了纳米线的直径，并通过不断吸附反应物使之在催化剂-纳米线界面上过饱和溢出，使得纳米线不断生长。采用含少量Fe,Au,Ni的硅粉作为靶材，放入填充Ar气的石英管中，在一定温度下激光烧蚀可获得硅纳米线。含有Fe的硅粉在激光烧蚀作用下生成Fe和Si的高温浓缩蒸汽，Fe和Si碰撞形成纳米团簇，并在Ar气作用下冷却为液态。通过控制腔内温度使纳米团簇维持在液态，液态中Si达到过饱和后开始生成硅纳米线。在液态纳米团簇和Si充足的情况下，硅纳米线将持续生长直至随Ar载气气流通过热反应区域后停止。此时，纳米团簇变成固态，图1为Morales等提出的激光烧蚀法制备硅纳米线生长示意图。

图1激光烧蚀法制备硅纳米线的生长示意图［10］