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《传感器与检测技术》试题4

一、填空题（10题）

1、检测仪表中常用测试方法有直接比较测量法、微差法和零位法。

2、霍尔传感器的霍尔电势U为KHIB若改变I或B就能得到变化的霍尔

H

电势。

3、光电式传感器主要用于测量转速、工件尺寸、位移、压力、工件表面质量。

4、压电传感器是一种典型的自发电式传感器。它以某些电介质的压电效应为基础，

在外力作用下，在电介质的表面产生电荷，从而实现非电量的电测转换。

5、热电偶产生的热电势一般由接触电势和温差电势组成。

6、光电式传感器是利用光敏元件将光信号转换为电流信号的装置。

7、霍尔传感器是利用霍尔效应原理制成的传感器，主要用来测量磁场的大小。

8、电容式传感器有变面积式、变间隙式和变介质式三种。

9、当输入端加电流I，并在元件平面法线方向加磁感强度为B的磁场，那么在垂直于

电流和磁场方向上将产生电动势，这种现象就是霍尔效应。

10、电容式传感器中，变介电常数式多用于液位或片状材料厚度的测量。

二、单选择（20题）

1.传感器的动态标定是为了确定传感器的动态特性参数，下列不属于传感器的动态特

性参数的是(A)。

A.灵敏度

B.时间常数

C.阻尼比

D.固有频率

2.在标定传感器时，所用的测量仪器的精度至少应与要标定的传感器的精(B)。

A.高两个等级

B.高一个等级

C.有相同的等级

D.低一个等级

3.电阻应变式传感器的特点(D)。

1)精度高，测量范围广

2)使用寿命长，性能稳定可靠

3)结构简单，体积小，重量轻

4)频率响应较好，既可用于静态测量又可用于动态测量

5)价格低廉，品种多样，便于选择和大量使用

A.2)3)

B.3)4)

C.4)5)

D.2)3)4)5)

4.在电阻应变片的桥式测量电路中，要提高灵敏度应采用(C)。

A.臂电桥电路

B.双臂电桥(半桥)电路

C.全桥电路

D.要是电桥电路都可以

5.下列关于差动变压器的叙述不正确的是（B）。

A.差动变压器是把被测量的非电量转换成线圈互感量的变化。

B.差动变压器的两个初级绕组的同名端反向串联，而两个次级绕组的同名端则顺向串

联。

C.差动变压器结构分为变隙式、变面积式和螺线管式。

D.差动变压器传感器可以直接用于位移测量，也可以测量与位移相关的任何机械量。

6.采用差动式电容传感器的优点有（D）。

A.减小非线性误差

B.提高传感器灵敏度

C.减小寄生电容的影响

D.都可以

7.光纤是用(B)作为主要原料的一种透明度很高的介质材料，广泛用于通信和传感器。

A.光刻玻璃

B.石英玻璃

C.光刻硅

D.钛铝合金

8.下列哪一项不是光敏电阻的主要参数（C）。

A.光电流

B.亮电阻和亮电流

C.光照特性

D.暗电阻和暗电流

9.属于四端元件的是（C）。

A.应变片

B.压电晶片

C.霍尔元件

D.热敏电阻

10.石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是(B)。

A.压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好

B.压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好

C.石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好

D.石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好

11.热敏电阻的结构不包括下列哪一项（D