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本发明提供一种屏蔽栅MOSFET器件。所述屏蔽栅MOSFET器件包括：基底；源极沟槽，位于所述基底中；源电极，部分填充在所述源极沟槽内；栅极沟槽，位于所述源极沟槽上方的基底中，所述栅极沟槽环绕所述源极沟槽且与所述源极沟槽连通，所述源电极的上部从所述源极沟槽内凸出并伸入所述栅极沟槽内；栅氧化层，共形地覆盖所述栅极沟槽的内表面以及所述源电极上部的侧壁；栅电极，位于所述栅氧化层上，填充所述栅极沟槽且环绕所述源电极。如此可以降低屏蔽栅MOSFET的栅电极存储的电荷Qg，减小屏蔽栅MOSFET器件的开关损
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790576A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311836823.3
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人芯联集成电路制造股份有限公司
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