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一种针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法.pdf

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    一种针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，包括：针对芯片不同部位的失效定位需求，搭建待测芯片的参考工作状态，使待失效定位部位的内部漏电流不超过设定阈值；内部漏电流为待失效定位部位的内部电流与通过实验或仿真得到的标准芯片在相同部位、相同工作状态下的内部电流之差；通过微光显微镜EMMI定位获取参考工作状态下待失效定位部位的亮点结果；搭建待测芯片的异常工作状态，使待失效定位部位的漏电流超出所述设定阈值；通过微光显微镜EMMI定位获取异常工作状态下待失效定位部位的亮点结果；比较参考工作状态和异常工

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117805673A

    (43)申请公布日2024.04.02

    (21)申请号202311708001.7

    (22)申请日2023.12.12

    (71)申请人江阴圣邦微电子制造有限公司

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