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系统级封装（SiP）术语

1范围

本文件规定了系统级封装（SiP）在生产制造、工程应用和产品试验等方面与材料、工艺、组装、

封装相关的通用术语和专用术语。

本文件适用于与系统级封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2900.66—2004电工术语半导体器件和集成电路

GB/T12842—1991膜集成电路和混合膜集成电路术语

GB/T26111—2010微机电系统（MEMS）技术术语

GJB2438B—2017混合集成电路通用规范

IEC62047-1:2016semiconductordevicesmicro-electromechanicaldevices-part1:termsanddefinitions

3通用术语

3.1

系统级封装（SiP）systeminpackage（SiP）

将多种功能的芯片、封装或它们的组合集成于单个封装内的系统或子系统，它可任选地包含无源元

件、微机电系统（MEMS）、光学元器件、其他封装和器件。

注：SiP一般是单个封装内集成了一个系统或子系统。

3.2

封装上系统（SoP）systemonpackage（SoP）

将元器件、封装、系统或子系统集成到一个封装内。

注：SoP是单个封装内集成了多个系统或子系统，无源元件以薄膜形式集成在基板内是它的特点。

3.3

片上系统（SoC）systemonchip（SoC）

在单个芯片上集成一个完整的系统或子系统。

注：一般包含微处理器及其模拟IP核或数字IP核或存储器或片外存储控制接口等。

3.4

异质异构集成heterogeneousintegration

通过微纳制造工艺，实现不同材料、不同工艺、不同结构、不同功能单元的集成。

3.5

混合集成电路hybridintegratedcircuit

由半导体集成电路与膜集成电路任意结合，或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成电路。

[来源：GB/T12842—1991，2.1.11]

3.6

多芯片模块（MCM）multi-chipmodule（MCM）

多芯片组件

一种混合集成电路，其内部装有两个或两个以上超大规模集成电路裸芯片。

[来源：GJB2438A—2002，6.3.20]

3.7

多芯片封装（MCP）multi-chippackage（MCP）

包含多个集成电路的封装。

3.8

多芯片集成电路（MCIC）multi-chipintegratedcircuit（MCIC）

含两个或多个芯片的半导体集成电路。

[来源：GB/T2900.66—2004，521-10-10]

4材料和基板术语

4.1

热界面材料（TIM）thermalinterfacematerial（TIM）

用于散热装置与发热器件之间降低它们接触热阻的导热材料。

注：热界面材料可以为导热脂、导热胶、相变材料、焊料等。

4.2

底填料underfillmaterial

用于倒装芯片底部与基板之间填充间隙的有机聚合物材料。

4.3

各向异性导电胶anisotropicconductiveadhesive

垂直方向能导电水平方向不能导电的粘接胶。

4.4

各向同性导电胶isotropicconductiveadhesive

垂直和水平方向都能导电的粘接胶。

4.5

金刚石铜diamondcopper

金刚石颗粒和铜的复合材料。

注：通常金刚石体积分数为40%~70%，热导率550W/m·k~900W/m·k，热膨胀系数为6ppm/℃~8ppm/℃，密度

33

5g/cm~6g/cm，抗弯强度200MPa~400MPa，一般用于大热耗器