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集成电路电磁抗扰度测量第4部分：射频功率直接注入法

1范围

本文件规定了在传导射频（RF）骚扰存在的情况下集成电路（IC）抗扰度的测量方法，例如，由辐

射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法可以确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。

本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

IEC61967-4集成电路电磁发射测量150kHz～1GHz第4部分：传导发射测量1Ω/150Ω直接

耦合法（Integratedcircuits–Measurementofelectromagneticemissions,150kHzto1GHz

–Part4:Measurementofconductedemissions–1Ω/150Ωdirectcouplingmethod）

IEC62132-1:2006集成电路电磁抗扰度测量150kHz～1GHz第1部分：通用条件和定义

(Integratedcircuits–Measurementofelectromagneticimmunity,150kHzto1GHz–Part1:

Generalconditionsanddefinitions)

IEC61000-4-6电磁兼容试验和测量技术第4-6部分：射频场感应的传导骚扰抗扰度

(Electromagneticcompatibility(EMC)–Part4-6:Testingandmeasurementtechniques–Immunity

toconducteddisturbances,inducedbyradio-frequencyfields)

CISPR16-1-2无线电骚扰和抗扰度测量设备和测量方法规范第1-2部分：无线电骚扰和抗扰度测

量设备传导骚扰测量的耦合装置(Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuring

apparatusandmethods–Part1-2:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus–Coupling

devicesforconducteddisturbancemeasurements)

3术语和定义

IEC62132-1界定的术语和定义适用于本文件。

4概述

4.1测量原理

IC所需的最小电磁抗扰度电平取决于电子系统所能发射的最大RF骚扰电平。抗扰度电平的值由系统

和实际应用的具体参数确定。为了确定IC的抗扰度性能，保证较高的可重复性，要求测量程序简便，以

及测量布置能够避免谐振。下面给出了本试验的基本要求。

IC中出现的最大几何尺寸来自于引线框架。引线框架的大小在几个厘米的范围内或更小。芯片上的

结构尺寸甚至比引线框架的尺寸小两个数量级。对于1GHz以下的频率范围，这种引线框架和芯片结构不

会构成接收无用RF信号的有效天线。形成有效天线的是电缆束和/或印制电路板（PCB）上的走线，IC

通过连接到这些电缆的引脚接收无用的RF能量。因此，IC的电磁抗扰度可以通过RF传导骚扰（即RF正向

功率）来表征，而不用在模块和/或系统试验中通常采用的场参数。

对于模块和系统试验，可以测量或估计由电缆束或印制电路板走线作为天线提供给电路的正向功

率。无论这种功率是否被反射或吸收，都被认为是提供给电路的正向功率。事实上已经观察到许多IC

对高反射的骚扰是最敏感的。这是由于在这种情形下注入的RF电流或施加的RF电压能达到最大的可能

值。为了表征IC的抗扰度，需要测量引起功能失效的正向功率。根据在IEC62132-1中规定的性能分级，

功能失效可分为从A到E五个等级。

图1示出了主要试验硬件布置，其中控制计算机可选。

直流源或

信号源

50Ω同轴线