静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级.pdfVIP

静电放电敏感度试验传输线脉冲器件级

1范围

本文件定义了一种传输线脉冲（TLP）试验方法，用于评估被测半导体器件的电压电流响应，并考

量静电放电（ESD）人体模型（HBM）防护的设计参数。

本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP

试验技术。

本文件不宜成为HBM试验标准（例如IEC60749-26）的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指

南，以便提取半导体器件的HBMESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBMESD参数的标准测量和程

序。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

IEC60749-26半导体器件-机械和气候试验方法-第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试-人体模

型（HBM）（Semiconductordevices–Mechanicalandclimatictestmethods–Part26:Electrostatic

discharge(ESD)sensitivitytesting–Humanbodymodel(HBM)）

IEC60749-27半导体器件-机械和气候试验方法-第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试-机器模

型（MM）（Semiconductordevices–Mechanicalandclimatictestmethods–Part27:Electrostatic

discharge(ESD)sensitivitytesting–Machinemodel(MM)）

IEC60749-28半导体器件-机械和气候试验方法-第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试-带电

器件模型（CDM）-器件级（Semiconductordevices–Mechanicalandclimatictestmethods–Part28:

Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting–Chargeddevicemodel(CDM)）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

电流源法currentsourcemethod

使用一个500Ω电阻器与受试器件（DUT）串联，并在DUT处测量电压和电流的TLP方法（有时

称为恒流法）。

3.2

破坏性损坏destructivedamage

工作电气特性或参数改变的损坏，且不能恢复到施加应力之前的初始状态。

3.3

安全工作区safeoperationarea

SOA

器件处于正常工作状态而不会降级的电流和电压条件。

3.4

二次击穿secondbreakdown

由于热过程而在器件中出现负电阻状态的条件。

注：这指定为电压触发点V和电流I，通常在电击穿（例如，V，I）后可观察到。

t2t2t1t1

3.5

热不稳定性thermalinstability

由于热过程器件处于负电阻状态的条件。

3.6

时域反射计法timedomainreflectometermethod

TDR

使用示波器测量DUT的入射波和反射波的TLP法。

3.7

时域传输法timedomaintransmissionmethod

TDT

使用示波器测量DUT传输波的TLP法。

3.8

时域传输和反射法timedomaintransmissionandreflectionmethod

TDRT

结合了传输波和反射波的TLP法。

3.9

传输线脉冲transmissionlinepulse

TLP

利用对带电的传输线电缆放电形成的矩形电流脉冲。

注：本文件中的TLP是指由任何脉冲源形成的任何矩形脉冲。

3.10

传输线脉冲试验系统transmissi