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微波电路用化合物半导体晶圆可靠性评价要求

1范围

本文件规定了GaAs与GaN集成电路晶圆级工艺可靠性评价要求，包括极限电应力、寿命、环境

耐受力、可装配性和工艺剖面结构分析等方面的评价内容。

本文件适用于GaAs与GaN微波集成电路晶圆级工艺可靠性评价。评价所得数据与图片可用于分

析晶圆级工艺平台所制作元器件的可靠性水平，但工艺平台所生产集成电路芯片（产品级）的可靠性水

平还需另行评价。

本文件包含两类评价对象，一种是工艺监测图形（PCM-ProcessControlMonitor），另一种是工艺

可靠性表征结构（TCV-TechnologyCharacterizationVehicle），可根据可靠性评价项目的不同，选择适

用的对象。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T4586半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法

GB/T9178集成电路术语

3术语和定义

GB/T9178、GB/T4586界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

工艺监测图形processcontrolmonitor（PCM）

提供工艺参数数据和表征工艺成品率状况的测试图形结构。

3.2

可靠性表征结构technologycharacterizationvehicle（TCV）

用于评价工艺可靠性的测试结构，其设计通过靠近或处于设计规则极限，对各种可靠性失效机理

较为敏感。

4样品

4.1样本大小

一般来说，样本应来自于三个非连续晶圆批，也可超过三个批次；样本应从晶圆的四个象限和中心

位置选取，晶圆批之间的投片时间间距一般不超过3个月。从晶圆加工开始至结束同时经受同一组工艺

过程的一组集成电路晶圆构成一个晶圆批。

4.2样品准备

根据评价项目的不同，按具体评价项目需求制备样品，大致分为三种状态：

a)无散热需求，适合探针测试的裸芯片；

b)有散热需求，适合探针测试且需要粘接在载体上的芯片；

c)试验有需求，需要选取合适壳体或元器件组装后的样品。

5可靠性评价项目

可靠性常规的评价项目见表1。

表1可靠性评价项目

章节项目评价方法

6.1孔链—

6.2电阻—

7MIM电容—

8.1I-V特性—

8.2势垒特性—

8.3转移特性—

8.4关态击穿特性—

8.5开态击穿特性—

9.1加速寿命试验GB/T4937

9.2高温反偏试验GB/T4937

10.1高温贮存GB/T4937

10.2热冲击GB/T4937

10.3盐雾GB/T4937