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微波混合集成电路合成频率源

1范围

本文件规定了合成频率源（以下简称频率源）的定义、分类、技术要求、检验方法和检验规则等。

本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计、制造的合成频率源。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

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仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法

GB/T8976-1996膜集成电路和混合膜集成电路总规范

GB/T9178集成电路术语

GB/T13062-2018半导体器件集成电路第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范

（采用鉴定批准程序）

GB/T11498-2018半导体器件集成电路第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴

定批准程序）

GB/T35002-2018微波电路频率源测试方法

1术语和定义

GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。

2分类

合成频率源是指采用频率合成技术产生的频率源，即通过对参考基准频率进行某种数学运算来获取

大量与参考基准频率相同精确度的信号，然后再根据实际需要来选择所需的频率。

合成频率源根据合成原理的不同主要分为三种：直接合成频率源、锁相式合成频率源、直接数字合

成频率源。

3技术要求

3.1静态特性

合成频率源的静态特性应包含电源电流。

3.2动态特性

合成频率源的动态电性能指标如下：

a)输出频率（f0）；

b)输出功率（PO）；

c)谐波抑制度（Rfn）；

d)杂波抑制度（R）；

fs

e)单边带相位噪声（L(f)）；

f)功率平坦度（△PO）（规定时）；

g)功率温度稳定度（△PT）（规定时）。

h)频率步进（fstep）（规定时）；

i)频率时间稳定度（S）（规定时）；

t

j)频率温度稳定度（S）（规定时）；

T

k)频率准确度（A）（规定时）；

l)跳频时间（t）（规定时）。

p

m)隔离度（I）（规定时）。

s

n)建立时间（Tset）（规定时）。

3.3降额

应符合GB/T11498-2018中2.2的规定。适用时，详细规范应包含降额曲线。

3.4封装特性

为方便使用，应按GB/T11498-2018中2.3.1的规定，给出标有影响互换性的外形图和/或参照的国

家或国际有关外形标准，以及引线耐焊接温度，其中外形图一般包括封装形式、封装尺寸、引出端定义

及功能符号等。

3.5安装

安装要求应符合GB/T11498-2018中2.3.2的规定。

3.6其他特性指标

为方便使用，应规定以下适用的特性：

a)工作温度范围（T）：除另有规定外，一般为0℃～70℃、-40℃～85℃、-55℃～85℃、-55℃～

A

125℃。或按GB/T8976-1996中2.5的相关规定；

b)贮存温度范围（T）：除另有规定外，一般为-65℃～150℃；

stg

c)静电敏感度等级（ESDS）；

d)电路工艺、类型或功能的简要说明；

e)典型或特殊结构说明（适用时）；

f)质量评定水平，如果电路采用了未经鉴定的外加元器件，应按GB/T13062-2018的有关规定，

评定水平应加后缀“N”。

4电特性测试方法