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系统级封装（SiP）一体化基板通用要求

1范围

本文件规定了系统级封装（SiP）一体化基板通用要求，以及检验、交付、转运、贮存等要求。

本文件适用于系统级封装（SiP）中成为成品外壳整体一部分的底部基板。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T4741—1999陶瓷材料抗弯曲强度试验方法

GB/T4937（所有部分）半导体器件机械和气候试验方法

GB/T6620—2009硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T9178—1988集成电路术语

GB/T12842—1991膜集成电路和混合膜集成电路术语

GB/T32073-2015无损检测残余应力超声临界折射纵波检测方法

GB/Txxxx—xxxx系统级封装（SiP）术语

GJB548C—2021微电子器件试验方法和程序

GJB2142A—2011印制线路板用覆金属箔层压板通用规范

GJB4057—2000军用电子设备印制电路板设计要求

3术语和定义

GB/T9178—1988、GB/T12842—1991和GB/Txxxx—xxxx界定的术语和定义适用于本文件。

4总则

4.1一般要求

系统级封装（SiP）一体化基板（以下简称“一体化基板”）要求包括：

a）技术要求，按产品流程一般可分为：

1)特性定义要求；

2)设计要求；

3)验证要求；

4)制造要求；

b）其他要求，包括但不限于：

1)检验要求；

2)交付要求；

3)产品转运、贮存要求。

除本文件规定的要求外，一体化基板其他要求应符合或优于其他相关文件的特定应用等级的所有要

求。

4.2文件优先顺序

采用本文件或其他相关文件时，优先顺序如下：

a）图纸、合同等产品采购文件；

b）本文件；

c）其他相关文件。

4.3一体化基板类型

本文件适合的基板类型包括：

a）一体化无机电路基板，按工艺可分为：

1)厚膜基板，如陶瓷厚膜基板、低温共烧陶瓷基板、高温烧陶瓷基板等；

2)薄膜基板，如玻璃薄膜基板、陶瓷薄膜基板等；

3)混合膜集成电路基板，如淀积/低温共烧陶瓷混合集成电路基板、淀积/高温共烧陶瓷混合

集成电路基板等。

b）一体化有机电路基板，包括各类印制基板，如聚四氟乙烯基多层印制基板、聚苯醚基多层印制

基板等。

注：上述工艺细分类中均将“一体化”定语省略以便阅读，如将“一体化陶瓷厚膜基板”简称为“陶瓷厚膜基板”。

5特性定义

5.1特性定义通则

定义或规定一体化基板的基本功能和性能参数等信息，通常可包括：

a）电气特性；

b）热特性；

c）结构特性。

5.2电气特性

一体化基板电气特性指集成电路芯片等元器件的信号传输和电源分配有效输入/输出途径，一般包

括：

a）功能单元：一体化基板的功能区块，包括但不限于射频、数字、电源、模拟、存储等；

b）互连：电路包含的元器件及其互连方式；

c）端口：基板直接输入/输出信号时的级联关系和类型；

d）隔离：产品整体或信道间信号传输抑制对围框、孔等一体化封装结构的要求。

5.3热特性

一体化基板热特性指电路工作时产生的热量影响和有效耗散途径，一般包括：

a）基板散热：基板自身材料热导率参数或导热孔、流道等一体化基板内嵌散热结构布局；

b）导热结构：一体化基板面向的外部环境或下级封装的热耗散要求；

c）热匹配性：一体化基板与元器件间，与下级封装间的热膨胀系数匹配性。

5.4结构特性

结构特性主要指元器件保护结构，在面对外界机械应力和化学环境腐蚀时，确保电路不受损害和退

化，一般包括：

a）封焊区域：焊接框、盖板等壳体的焊接区域设置和可焊性；

b）结构强度：一体化基板作为封装承载结构的应力、抗弯强度和平整度等参数要求；