集成电路三维封装 带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求.pdfVIP

集成电路三维封装

带凸点圆片减薄工艺过程和评价要求

1范围

本文件规定了集成电路三维封装带凸点圆片减薄工艺（以下简称减薄工艺）过程和评价要求。

本文件适用于12英寸及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的减薄工艺。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

3术语、定义和缩略语

3.1术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1.1

粗糙度roughness

减薄面加工表面上具有的较小间距和峰谷所组成的微观几何形状特性。

3.1.2

损伤层damagedlayer

如图1所示，于圆片减薄面逐步向内延伸，最外层为粗糙碎裂的表面结构，中间区域为由最外层带

来的裂纹及其引伸微裂纹组成，再向内为由微裂纹延伸区域延伸的弹性形变区域。

图1损伤层示意图

3.2缩略语

下列缩略语适用于本文件。

TTV—片内厚度均匀性（TotalThicknessVariance）

注：测量位置为同一圆片上5点或9点（如图2）位置厚度，最高点与最低点的差值。

WTW—片间厚度均匀性（WaferToWaferThicknessVariance）

注：测量位置为不同圆片上各取5点或9点（如图2）位置厚度，最高点与最低点的差值。

a）井字测量法b）环形测量法

图2测量的选取位置图

UV—紫外线（UltravioletRays）

4一般要求

4.1设备、仪器和工装夹具

减薄工艺所需设备仪器应定期进行检定和校准。工装夹具应完好无损、洁净，规格尺寸应与工艺要

求相适应，常用设备仪器及工装夹具应符合表1规定。

表1常用设备仪器及工装夹具

序号名称技术要求用途

适用于12英寸及以下圆片

1减薄机进给速度：0.1µm/s～10µm/s带凸点圆减薄

主轴转速：300rpm～5000rpm

2贴膜机适用于12英寸及以下圆片；真空吸附带凸点圆片保护膜贴膜

3揭膜机适用于12英寸及以下圆片；真空吸附带凸点圆片保护膜揭膜

4测厚仪接触式或非接触式；精度要求较减薄精度高一个数量级带凸点圆片厚度测量

5UV解胶机适用于12英寸及以下尺寸圆片去除紫外膜粘性

适用于12英寸及以下尺寸圆片

7测量显微镜放大倍率要求：30倍～800倍带凸点圆片检验

测量精度要求：±5µm

适用于12英寸及以下尺寸圆片

6显微镜带凸点圆片检验

放大倍率要求：30倍～150倍

4.2材料

减薄工艺所使用的材料应满符合表2规定。

表2常用材料及相关要求

序号名称主要技术要求用途