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集成电路三维封装
带凸点圆片划片工艺过程和评价要求
1范围
本文件规定了集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺（以下简称划片工艺）过程和评价要求。
本文件适用于12英寸及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级
GJB3007防静电工作区技术要求
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
带凸点圆片bumpwafer
芯片外引出端为凸点的圆片。
3.2
划片wafer-sawing
通过物理方法，将芯片从圆片分离的工艺。
4一般要求
4.1设备、仪器和工装夹具
划片工艺所需设备仪器应定期进行鉴定和校准。工装夹具应完好无损、洁净，规格尺寸应与工艺要求相
适应，常用设备仪器及工夹具应满足表1要求。
表1常用设备仪器及工装夹具
序号名称主要技术要求用途
划片尺寸：12英寸及以下尺寸凸点圆片
切割速度：0.1mm/s～300mm/s
1划片机主轴转速：6000rpm～60000rpm带凸点圆片划片
累计误差：划切长度≥310mm,累计误差≤5µm
切割精度：±5µm
表1（续）
序号名称主要技术要求用途
带凸点圆片划片膜贴膜
2贴膜机适用于12英寸及以下圆片；真空吸附
带凸点圆片保护膜贴膜
带凸点圆片划片膜揭膜
3揭膜机适用于12英寸及以下圆片；真空吸附
带凸点圆片保护膜揭膜
适用于12英寸及以下圆片
4紫外解胶机去除紫外膜粘性
照射能量：10～3000J/cm2
5烘箱峰值温度≥100℃；控温精度±5℃带凸点圆片烘片
放大倍率：30倍～200倍
6显微镜带凸点圆片检验
适用于12英寸及以下圆片
放大倍率：30倍～800倍带凸点圆片检验
7测量显微镜
适用于12英寸及以下圆片崩边，切割偏移量测量
刀片宽度：15μm～200μm
8划片刀带凸点圆片划切
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