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集成电路电磁兼容建模第1部分：通用建模框架

1范围

本文件规定了集成电路（IC）电磁兼容（EMC）宏建模的框架和方法，规定了GB/TXXXXX其他部分

中常用术语的定义、不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T7343-2017无源EMC滤波器件抑制特性的测量方法（IEC/CISPR17:2011,IDT）

IEC62433(所有部分)集成电路电磁兼容建模（EMCICmodelling）

ISO8879信息处理文本和办公系统标准通用置标语言（SGML）（Informationprocessing–Text

andofficesystems–StandardGeneralizedMarkupLanguage(SGML)）

ANSIINCITS4:1986信息系统编码字符集7位美国国家信息交换标准码（7位ASCII）Information

Systems–CodedCharacterSets–7-BitAmericanNationalStandardCodeforInformation

Interchange(7-BitASCII)

3术语、定义和缩略语

3.1术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1.1

集成电路发射模型－传导发射integratedcircuitemissionmodel–conductedemissions；

ICEM-CE

用于模拟IC传导电磁发射的宏模型。

注：ICEM-CE宏模型可用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。

3.1.2

集成电路发射模型－辐射发射integratedcircuitemissionmodel–radiatedemissions；

ICEM-RE

用于模拟IC辐射电磁发射的宏模型。

3.1.3

集成电路抗扰度模型－传导抗扰度integratedcircuitimmunitymodel–conductedimmunity；

ICIM-CI

1

GB/TXXXXX.1-XXXX/IEC62433-1:2019

用于模拟施加给IC引脚上传导骚扰敏感度电平的IC的宏模型。

3.1.4

集成电路抗扰度模型－辐射抗扰度integratedcircuitimmunitymodel–radiatedimmunity；

ICIM-RI

用于模拟IC对外部辐射骚扰的敏感度电平的IC的宏模型。

3.1.5

集成电路抗扰度模型－传导脉冲抗扰度integratedcircuitimmunitymodel–conductedpulse

immunity；ICIM-CPI

用于模拟施加给IC引脚上传导脉冲骚扰敏感度电平的IC的宏模型。

3.1.6

内部行为internalactivity；IA

用电流源或电压源代表IC模型的组件，其是由IC内部有源器件的活动产生的。

注：该组件适用于模拟和数字电路。

3.1.7

抗扰度特性块immunitybehaviour；IB

描述IC内部抗扰度特性的模块。

3.1.8

失效行为块failurebehaviour；FB

描述IC内部失效行为的模块。

3.1.9

无源分配网络passivedistributionnetwork；PDN

代表电磁噪声传播路径特性的IC模型组件（例如配电网络）。

注：传播路径可以表示为电网络或等效的电磁源（例如电偶极子和磁偶极子）网络。

3.1.10

非线性块non-linearblock；NLB

代表电磁噪声传播路径非线性特性的IC模型组件（例如配电网络）。

示例：静电放电（ESD）二极管，钳位二极管，背对背二极管。

3.1.11

块间耦合inter-blockcoupling；IBC

I