掺杂氧化铪基薄膜铁电性能的研究进展.pdfVIP

第61卷第1期真空VACUUMVol.61，No.1

2024年1月Jan.2024

掺杂氧化铪基薄膜铁电性能的研究进展*

乌李瑛，刘丹，付学成，程秀兰

（上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台，上海200240）

摘要：铁电薄膜的研究多集中于钙钛矿结构材料，然而，这些传统的铁电材料存在与硅Si兼容性

差、含铅而污染环境、物理厚度大、电阻低、带隙小等问题。不同的掺杂剂，如Si、Zr、Al、Y、Gd、Sr和La

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可以在HfO薄膜中诱导铁电或反铁电性，使其剩余极化率达到45µC·cm，矫顽力（1~2MV·cm）比传2

统铁电薄膜大约1个数量级。同时，HfO薄膜厚度可以非常薄（低于10nm），并具有很大的带隙（约5eV）。2

这些优于传统铁电材料的特质可以克服包括铁电场效应晶体管和三维电容传统铁电材料等在薄膜存

储器应用中的障碍。除此之外，反铁电薄膜的热电耦合性将有望用于能量收集、存储、固态冷却和红外

传感器等多种应用中。HfO掺杂薄膜可以通过不同的沉积技术如ALD、溅射和CSD来制备，其中ALD技2

术沉积的薄膜优势更加明显。本文综述了近年来掺杂HfO薄膜材料铁电性和反铁电性的研究进展，详2

细介绍了不同掺杂元素、薄膜厚度、晶粒尺寸、电极、退火及应力等对薄膜铁电性的影响。

关键词：原子层沉积；氧化铪薄膜；掺杂；铁电性；极化

中图分类号：TB34文献标识码：A文章编号：1002-0322（2024）01-0010-11

doi：10.13385/j.cnki.vacuum.2024.01.02

ResearchProgressonFerroelectricPropertiesofHafniumOxideDopedThinFilms

WULi-ying,LIUDan,FUXue-cheng,CHENGXiu-lan

（CenterforAdvancedElectronicMaterialsandDevices,SchoolofElectronicInformationandElectrical

Engineering,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240,China）

Abstract：Moststudiesonferroelectricthinfilmsarefocusedonperovskitestructuralmaterials.However,thesetraditionalferroelectric

materialshaveavarietyofproblems,suchaspoorcompatibilitywithSi,environmentalpollutioncausedbyPb,largephysical

thickness,lowresistance,andsmallbandgap.DifferentdopantssuchasSi,Zr,Al,Y,Gd,SrandLacaninduceferroelectricor

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