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發光二極體元件之ESD測試方法
1.適用範圍：本標準規定發光二極體元件之耐靜電放電(ESD)測試方法。
2.引用標準
下標準受引用部分視為本標準內容之一部分。對於有標註日期者，僅
所引用之版次適用，對於未標註日期者，則適用最新版次(包含所有增/
修訂部分)。
CNS15249發光二極體元件之光學與電性測方法
3.用語釋義：
3.1發光二極體(LightEmittingDiode,LED)：具有受電能激發時發光之
PN接面的半導體元件(以下簡稱LED)。
3.2LED元件(LEDcomponent)：含有1個或多個LED晶的1個封裝體
3.3靜電放電(ESD，ElectrostaticDischarge)：個具有同靜電電位的物
體，發生靜電電荷轉移的現象稱為靜電放電，瞬間大靜電電荷通
LED可能會對LED造成永久性破壞。
3.4靜電耐受電壓：LED可承受此電壓以下的靜電電壓而會損壞失
效，此耐受電壓可用電壓等級(表2，表4)或使用者指定的電壓標示。
4.靜電耐受電壓測試
試驗項目包括人體放電模式(HBM,HumanBodyMode)與機器放電模
式(MM,MachineMode)種模式的靜電耐受電壓測試。
5.人體放電模式ESD測試
5.1測試配置：
圖1是典型的HBMESD等效電圖，測試配置中包含HBMESD
脈衝的模擬電(ESDpulsesimulator)與待測物的插座(DUTsocket)。
2
圖1
5.2測試配置注意事項：
5.2.1.須避免電中的C1電容重充電時的暫態突波(recharge
transients)或多次放電(multiplepulses)的情況，電中的寄生電
容與電感(parasiticcapacitanceandinductance)將會影響整體電
的性能。
5.2.2R2的規格需為低電感型電阻，阻值500歐姆，耐壓1000伏
特，誤差±1%
5.2.3可將端子A與B(terminalsAandB)反接達成正負極性變
換。
5.2.4S2需在脈衝週期(pulsedeliveryperiod)結束之後短(closed)至
少10到100毫秒(ms)以確保待測物插座上無靜電殘，S2需至
少在下次測試前10毫秒開(open)。
5.2.5示波器頻寬至少需350MHZ，電探棒(currentprobe)的頻寬至
少需350MHZ，線長可超過1米。
5.2.6設備的校驗：模擬電波形需在初次使用或維修後或每一做
一次能的確認。使用模擬器(simulator)分別接上短線與500
歐姆電阻進波形檢視。接上短線時，在表1的各電壓等級
(8000V除外)，產生五個續測試脈波，波形需符合表1，圖2
3
的規格。接上500歐姆電時，在1000V電壓等級，產生五個
續測試脈波，波形需符合表1，圖3的規格。
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