霍尔效应测量磁场实验报告.docxVIP

平均速率为v）受到洛伦兹力七的作用，图

平均速率为v）受到洛伦兹力七的作用，

图1霍尔元件部分实验装置示意图

位差匕，形成一个电场E。电场使载流子又受到一

个与fb方向相反的电场力Fe,

达到稳定状态时七

=F?，即

【实验题目】通过霍尔效应测量磁场

【实验目的】

1、 了解霍尔效应原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。

2、 学习用“对称测量法”消除付效应影响。

3、 根据霍尔电压判断霍尔元件载流子类型，计算载流子的浓度和迁移速度，

【实验仪器】

QS-H霍尔效应组合仪

【实验原理】

1、通过霍尔效应测量磁场

霍尔效应装置如图2.3.1-1和图2.3.1-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中（B的方向沿z轴方向），当沿y方向的电极A、A上施加电流I时，薄片内定向移动的载流子（设

无论载流子是负电荷还是正电荷，F的方向均沿着x方向，在磁力的作用下，载流子发生偏移，产生电荷积累，从而在薄片B、B两侧产生一个电

七=皿=qVHb （2）

其中b为薄片宽度，Fe随着电荷累积而增大，当

图W

图W电夜铁气缝中的建场

q*=qVH/b

这时在B、B两侧建立的电场称为霍尔电场，相应的电压匕称为霍尔电压，电极B、B称为霍尔电极。

另一方面，射载流子浓度为n,薄片厚度为d，则电流

强度Im与v的关系为：

】广bdnqV或V=Xbdnq⑷

由（3）和（4）可得到

VH=上蜕