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汽车双倍数据速率同步动态随机存储器工作寿命试验规范

1范围

本文件规定了汽车双倍数据速率同步动态随机存储器工作寿命试验的试验装置、样品要求、试验条

件和试验程序。

本文件适用于汽车双倍数据速率同步动态随机存储器。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2900.1—2008电工术语基本术语

GB/T14113—1993半导体集成电路封装术语

GB/T36474—2018半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3SDRAM）测试

方法

IEC60749-23半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命（Semiconductordevices

-Mechanicalandclimatictestmethods-Part23:Hightemperatureoperatinglife）

3术语和定义

GB/T2900.1—2008、GB/T14113—1993和GB/T36474—2018界定的以及下列术语和定义适用于本

文件。

3.1

双倍数据速率doubledatarate；DDR

在每个时钟周期内进行两次数据传输的架构,分别在时钟上升沿和下降沿传输数据。

[来源：GB/T36474—2018，3.4]

3.2

同步动态随机存储器synchronousdynamicrandomaccessmemory；SDRAM

以时钟为数据同步基准,需要连续的刷新存储数据,并随机指定存储地址的存储器。

[来源：GB/T36474—2018，3.5]

3.3

结温junctiontemperature；Tj

器件中主要发热部分的半导体结的温度。

[来源：GB/T14113—1993，5.34]

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4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件。

LSL：规范下限值（LowerLimitofSpecification）

USL：规范上限值（UpperLimitofSpecification）

VDD：电源供电电压（PowerSupply）

VDDQ：数据总线电压（DQPowerSupply）

VPP：激活电压（ActivatingPowerSupply）

5试验条件

5.1样品工作温度等级

被测样品应按其在车辆上的应用环境确定相应的工作温度等级（见表1），在相应的工作温度等级

应能正常工作。

表1工作温度等级

等级工作温度范围

0-40℃～+150℃

1-40℃～+125℃

2-40℃～+105℃

3-40℃～+85℃

5.2抽样原则

工作寿命试验需3组不同批次的被测样品，每批次应有77颗被测样品。

5.3试验装置

试验装置应满足IEC60749-23第4章的要求。

5.4应力条件

5.4.1温度应力

被测样品应在试验箱进行试验。试验箱温度T应按表1相应的工作温度等级上限值进行设置，且温

a

度偏差应小于等于±2℃。如多个样品在试验箱内，应保证所有被测样品满足温度应力的要求。

对于有热关闭功能的被测样品，如按表1相应的工作温度等级上限值施加温度应力，会引起被测样

品热关闭，则可用T替代T使用。但被测样品的T应大于等于最大工作结温T，