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同学们好，今天我们学习“光敏电阻特性实验”

光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，

其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强

度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻

对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达

1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。

光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入

射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻

减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射

光强，电阻增大。

光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变

化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由

半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼

0.4~0.76μm

对可见光（）的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会

引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线

或自然光线作控制光源，使设计大为简化。

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端

装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为

了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是

金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧

结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出

引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。入

—

射光消失后，由光子激发产生的电子空穴对将复合，光敏电阻的阻

值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电

流通过，受到一定波长的光线照射时，电流就会随光强的增大而变大，

从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用

时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体

导带内载流子数目的多少。

在实验操作之前，请先进行光敏电阻的检测

1

（）用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基

本保持不变，阻值接近无穷选择大。此值越大说明光敏电阻性能越好；

若此值很小或接近为零，说明光敏电阻损坏，不能使用。

2

（）将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较

大幅度的向右摆动，阻值明显减小，此值越小说明光敏电阻性能越好。

若此值很大甚至无穷大，说明光敏电阻内部开路损坏，不能使用。

3

（）将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的

遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时，万用表指针应随黑纸片的

晃动而左右摆动，如果万用表指针始终停在某一位置，不随纸片晃动

而摆动，说明光敏电阻损坏。

【实验目的】

1、了解光敏电阻的工作原理。

2、掌握使用GMD型光敏电阻特性实验仪测定光敏电阻伏安特性。

3、了解从实验曲线中获取物理特性的方法。

【实验仪器】

GMD型光敏电阻特性实验仪、数字万用表、连接线若干。

【实验原理】

在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应．本

实验所用的光敏电阻就是基于内光电效应的光电元件．当内光电效应

发生时，固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价

带中留下空穴．这样由于材料中载流子个数增加，使材料的电导率增

A

IU

加．当光敏电阻两端加上电压U后，光电流为phd

Ad

其中为与电流垂直的截面积，为电极间的距离．

右图为内光电效应示意图

【实验内容】

1、连接好实验线路，调节光敏电阻和白色高亮度发光二极管光源到

适当位置，调节电压，测量不同电压下的电流值，实验点不少于12

个。记录表格参照右图据此作出伏安特性曲线。

2、测量正向偏压下的伏安特性，并作出曲线来。

3、作出在不同光强下的光敏电阻伏安特性曲线。

【注意事项】

1、连接完实验装置后，才能打开电源开关。