半导体光电器件第3章.pptVIP

**********特点：1.自发辐射光-LED谱线较宽 2.面发光二极管的谱线要比边发光二极管的宽 3.长波长光源谱宽比短光源宽-短波长GaAlAs/GaAs谱宽30~50nm-长波长InGaAsP/InP谱宽60~120nm发光光谱特性*温度特性由于禁带宽度随着温度的升高而减小，载流子辐射复合速率也会减小，因此：②发光波长随温度的上升而增长，变化速率为短波长和长波长LED的移动分别为0.2~0.3nm/℃和0.3~0.5nm/℃。此外，温度使载流子的分布变宽，因此温升使得发光光谱变宽。①发光强度都随着温度升高而减小；*内量子效率hint那么LED的内部发光功率为：LED的内部量子效率和内部功率*例一双异质结InGaAsP材料的LED，其峰值波长为1310nm，辐射性复合时间和非辐射型复合时间分别为30ns和100ns，驱动电流为40mA。可以得到：可以得到LED的内部发光功率为：*LED的外部量子效率和外部功率外部量子效率hext影响外部量子效率的主要因素：吸收损失、临界角损失和菲涅尔损失。①吸收损失光辐射在pn结中产生后在通过晶体到达半导体表面的过程中，有的光子会被晶体重新吸收。②临界角损失只有小于临界角θc内的光可以完成被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。*LED的外部发光功率为：①用折射率高的透明物质涂覆在二极管上。提高外部量子效率的措施：③用宽带隙晶体作为衬底以减少晶体内的光吸收。②把出光表面做成半球形；③菲涅尔损失临界角内的光在表面上也有一部分被反射回去。*驱动电流较小-LEDP-I特性线性度好驱动电流较大-pn结发热产生饱和现象-曲线斜率减小通常，LED工作电流为50~100mA，输出光功率为几毫瓦LED的P-I特性*基本直流电路如图所示。在工作过程中电流不得超过规定的极限值，因此应在电路中加限流电阻RL，其阻值为：式中，UCC为电源电压；UF和IF分别为管子的正向电压和正向电流。LED的驱动*LED光源的特点电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80%。适用性：体积小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境。稳定性：10万小时，光衰为初始的50%。响应时间：白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级。*对环境污染：无有害金属汞。颜色：通过选用不同的材料，可以实现各种发光颜色。如采用GaP:ZnO或GaAsP材料的红色LED，GaAsP材料的橙色、黄色LED，以及GaN蓝色LED等。而且通过红、绿、蓝三原色的组合，可以实现全色化。价格：LED的价格比较昂贵，较之于白炽灯，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由上300～500只二极管构成。*作业大功率白光LED技术及进展包括：1.实现手段2.白光LED芯片技术及关键材料3.提高量子效率的措施4.发展趋势等。。。。*谢谢！******

**************第3章半导体发光二极管（LED)*主要内容3.2发光二极管的工作原理3.3发光二极管的基本结构3.5发光二极管的工作特性和参数3.6发光二极管的技术最新进展3.1概况3.4发光二极管的材料RedLEDWhiteLEDLEDfordisplaysBlueLEDLEDfortrafficlight*3.1概况发光二极管简称为LED（LightEmittingDiode）,是一种半导体固体发光器件，它是利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。什么是发光二极管（LED）？*结构图*LED的发展历史1968年利用半导体掺杂工艺使GaAsP材料的LED的发光效率达到1lm/w,并且能够发出红光、橙光和黄光。1971年出现GaP材料的绿光LED，发光效率也达到1流明/瓦。最早应用半导体pn结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。所用的材料是GaAs