凝固过程的基本原理.pptVIP

*（3）周期键链理论认为晶体内部周期键的数目、分布、周期和键强等特性确定了晶体生长的本征形态并在此基础上建立了一种定性的研究晶体生长形态的方法。（4）界面附着能模型该模型详细研究了不同生长机制下生长速率与界面附着能的关系，认为大多数晶体生长过程中生长速率与界面附着能G之间满足：界面附着能模型是在周期键链理论基础上建立起来的，克服了周期键链理论不能定量计算晶体形态的不足。第53页,共58页，2024年2月25日，星期天*3.晶体生长中形成的结构缺陷晶体在生长过程中要伴随一些缺陷的形成，按其形式可分为点、线、面缺陷。（1）空位的形成（2）位错的形成第54页,共58页，2024年2月25日，星期天*（1）空位的形成晶体在生长过程中，固液界面上的原子可以通过液相、固相内部扩散而来，如为后者，则在晶体内部形成空位。由液相扩散而来的概率：由固相扩散而来的概率：由此可形成一个空位形成一个概率为：P约为10-3，即界面上生长1000个位置时，可形成一个空位。空位的运动：晶界、表面是空位阱位错是空位阱引起位错攀移（割阶）冷却速度快时，不能到达界面或位错，聚集形成位错圈（刃型）第55页,共58页，2024年2月25日，星期天*（2）位错的形成晶体生长时有几个方面的原因可以形成位错：1）快速凝固时，晶体中过饱和空位的聚集及空位团的崩塌可能是形成位错的主要原因，特别是在高纯金属中。2）夹杂物可以诱发产生位错：作为异质形核的夹杂与晶体点阵结构不同，造成晶体内部位错；刚性夹杂与基体的膨胀系数不同，造成晶体内部应力场而产生位错晶体生长时从两边绕过夹杂后将其包围生长，周向长大不均匀。3）凝固接近平行地生长着的晶体之间或同一晶体中枝晶壁之间的会合处，由于碰撞会使晶体表面发生错排，形成位错。4）溶液的浓度不均匀性使生长着的晶体各部分具有不同的点阵常数及温度梯度，点阵结构的改变等会使相邻晶体部分的膨胀或收缩不同，从而产生位错，5）热应力使晶体中的位错大量增殖。第56页,共58页，2024年2月25日，星期天*第57页,共58页，2024年2月25日，星期天感谢大家观看第58页,共58页，2024年2月25日，星期天*（4）非平衡溶质分配系数当凝固速进一步加快时，凝固界面上的溶质迁移也偏离平衡，凝固完全在非平衡条件下进行。非平衡溶质分配系数ka：界面处固相和液相的实际溶质质量分数之比，偏离k0,接近于1。快速凝固条件的实际溶质分配系数超出热力学范畴，需采用动力学方法研究。Backer,Jackson等作过理论研究，迄今广泛采用的时Aziz模型。Aziz模型：假设凝固界面在推进过程中液相一侧的溶质和溶剂原子首先在瞬间内全部发生凝固，形成过饱和层，然后，在非平衡驱动力的作用下，溶质原子向液相反向扩散，直到下一层原子发生凝固，过量的溶质被保留下来，形成非平衡溶质分配。故:ka可通过对凝固界面层中扩散方程的求解确定。第21页,共58页，2024年2月25日，星期天*台阶生长的Aziz模型：连续生长过程的表达式：Di---界面扩散系数，R-----凝固速率，δ-----凝固方法上的原子厚度R-----凝固方向上的原子厚度第22页,共58页，2024年2月25日，星期天*界面溶质分配系数：在非平衡凝固条件下，界面处固-液相的成分即使在一定的温度下也不是像平衡条件下的定值，而是在一定的范围内波动，范围取决于动力学条件。M.Krumnacker和J.C.Brice等研究了固液界面的溶质分配系数与生长速度的关系：对于k0＜1的合金，晶体的生长速度越快，k*越大，越偏离平衡分配系数。而生长速度越低，两者越接近。而对于k0＞1的合金，则相反。J.C.Brice导出了k*与生长速度f的关系：v是原子的扩散速度，α是溶质分子在固液界面上的粘着系数，β是被吸附分子的解离常数。可见，当f→0时，k*→k0,当f→∞时，k*→1第23页,共58页，2024年2月25日，星期天*（二）均质形核凝固：固相核心核心长大=相变。形核是凝固过程研究的主要问题之一。形核的研究目标：确定不同条件下、不同成分合金的形核温度、形核速率。1.形核