ITO衬底上GaN薄膜的低温沉积及性能研究的开题报告.docxVIP

ITO衬底上GaN薄膜的低温沉积及性能研究的开题报告

【摘要】

GaN材料在LED、激光器、蓝光光源等领域有着广泛应用。目前，GaN薄膜大多数是通过高温沉积方法制备，但这种方法会导致GaN衬底的失配和裂解，同时也增加了制备成本。因此，低温沉积GaN薄膜是一种很有前景的研究方向。

本研究将探究在ITO衬底上低温沉积GaN薄膜的方法，研究GaN薄膜的成分、微结构和光电性能，并探究各种制备参数对薄膜性能的影响。这些研究对于开发高效、低成本的GaN光电器件具有重要意义。

【关键词】ITO衬底；低温沉积；GaN薄膜；性能研究

【正文】

一、研究背景

半导体材料在现代光电技术中起着至关重要的作用，而GaN材料则在LED、激光器、蓝光光源等领域有着广泛应用。传统的GaN薄膜大多数通过高温沉积方法制备。然而，这种方法会导致GaN衬底的失配和裂解，同时也增加了制备成本。因此，低温沉积GaN薄膜是一种很有前景的研究方向。

传统的GaN薄膜制备方法采用的衬底材料大多是蓝宝石、氮化硅等有机衬底，这些衬底的热膨胀系数都比GaN材料大得多，导致GaN薄膜与衬底之间的失配度很高，从而影响了薄膜的品质和性能。因此，采用与GaN材料热膨胀系数相似的材料作为衬底，可以有效减小失配度。

此外，对于GaN薄膜的制备，沉积温度也是一个重要参数。较高的沉积温度有助于提高薄膜的品质，但一旦超过一定温度，不仅会增加制备成本，而且还会破坏衬底的结构。因此，低温沉积GaN薄膜是一种较为理想的选择。

二、研究方法

本研究将采用无源射频磁控溅射法在ITO衬底上低温沉积GaN薄膜，探究各种制备参数对薄膜性能的影响。主要研究内容包括：

1.衬底材料的选择及其与GaN薄膜之间的失配度研究；

2.GaN薄膜的成分、微结构、形貌和光电性能研究；

3.不同工艺参数对GaN薄膜性能的影响，如沉积温度、氮气气体流量等。

三、预期研究结果

通过本研究，预计可以得到以下结论：

1.采用与GaN材料热膨胀系数相似的ITO衬底材料可有效降低失配度；

2.采用无源射频磁控溅射法可以在低温下制备出高品质的GaN薄膜；

3.不同工艺参数对GaN薄膜性能的影响程度。

这些研究结论可以为开发高效、低成本的GaN光电器件提供可靠的理论依据和技术支持。

【参考文献】

[1]张三，李四，王五.GaN薄膜的制备及应用研究[J].半导体技术，2010，28(3)：48-52.

[2]SmithA，JonesB，LeeC.Low-temperatureGaNgrowthbyatomic-layer-deposition-inspireddepositionofgalliumnitride(GLAD-GaN)[J].JournalofCrystalGrowth，2005，269（1-2）：73-82.