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HF8205A
DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheHF8205AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge
andoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
FeaturesApplication
VDS20V,ID6.5ABatteryprotection
RDS(ON)21mΩ@VGS4.5VLoadswitch
RDS(ON)27mΩ@VGS2.5VPowermanagement
HighPowerandcurrenthandingcapability
Leadfreeproductisacquired
SurfaceMountPackage
TypicalApplicationCircuit
(TA=25unlessotherwisenoted)
℃
HF8205ATypicalApplicationCircuit
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS20V
Gate-SourceVoltageVGS±10V
DrainCurrent-ContinuousID6.5A
DrainCurrent-Pulsed(Note1)IDM25A
MaximumPowerDissipationPD1.5W
OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeT,T-55To150℃
JSTG
ThermalCharacteristics
ThermalResistance,Junction-to-Ambient(Note2)RθJA83℃/W
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