HF30G20DF ±30V 16A -14A N+P-MOS DFN3×3 深圳黑锋科技.pdf

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HF30G20DF

N-ChandP-ChFastSwitchingMOSFETs

DESCRIPTION

TheHF30G20DFisthehighperformancecomplementaryN-chandP-chMOSFETswithhighcelldensity,whichprovide

excellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHF30G20DFmeettheRoHSandGreenProductrequirement100%EASguaranteedwithfullfunctionreliability

approved.

Features

SuperLowGateChargeGreenDeviceAvailable

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdeclineAdvancedhighcell

GreenDeviceAvailabledensityTrenchtechnology

TypicalApplicationCircuit

BVDSSRDSONID

30V14mΩ16A

-30V25mΩ-14A

AbsoluteMaximumRatings

Rating

SymbolParameterUnits

N-ChP-Ch

VDSDrain-SourceVoltage30-30V

VGSGate-SourceVoltage±20±20V

I@T25℃116-14A

DCContinuousDrainCurrent,VGS@10V

I@T100℃15-4A

DCContinuousDrainCurre

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专注电子行业10年,主营电源管理IC、MOS、方案配套,裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合,为客户推荐最具性价比产品,降低成本,提高生产良率!

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