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100MHz低相噪倍频锁相晶体振荡器的开题报告

1.研究背景

现代射频系统要求高频率，高灵敏度，低噪声等特点，各种应用场景中，频率合成技术都是实现高频率的关键技术。多倍频锁相技术是一种实现高频率的重要方式，已经得到广泛应用。其中，低相噪倍频锁相晶体振荡器是一种实现低噪声、高稳定性和良好双倍频输出信号的关键元件。

2.研究目的

本文旨在设计、制作一种低相噪倍频锁相晶体振荡器，在硅基工艺上实现双倍频输出，研究其在高频率合成系统中的应用。

3.研究内容

（1）倍频锁相技术的原理和应用；

（2）低相噪倍频锁相晶体振荡器的基本结构和特点；

（3）将倍频锁相技术与低噪声晶体振荡器结合，完成低相噪倍频锁相晶体振荡器的原理设计；

（4）进行模拟设计和电路仿真，并通过仿真结果对电路参数进行合理调整。

4.预期结果

实现基于硅基工艺的低相噪倍频锁相晶体振荡器，双倍频输出频率为100MHz，相噪声小于-100dBc/Hz@10kHz，温度稳定性小于50ppm/℃，并将其应用于射频信号的合成系统。

5.研究意义

低相噪倍频锁相晶体振荡器是现代射频电路设计的重要组成部分，在无线电通信、卫星导航、雷达等领域都有着广泛的应用。本文所提出的低相噪倍频锁相晶体振荡器可为高频率合成系统提供一种高稳定性、低相噪声、低温漂的信号源，有着非常重要的实用价值和研究意义。