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AlGaNGaNHEMT肖特基接触技术研究的开题报告

1.研究背景

目前，GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）已成为高功率、高频率和高温应用中的主要器件之一。其中，AlGaN/GaNHEMT是一种潜在的高功率和高频设备，它具有较高的漏电流抑制能力、高电子迁移率和优异的热稳定性能。而肖特基接触技术作为一种常用的制备方法，也被广泛应用在AlGaN/GaNHEMT器件中。本研究旨在对AlGaN/GaNHEMT肖特基接触技术进行深入的研究，以提高器件性能和可靠性。

2.研究内容

本研究计划从以下几个方面展开研究：

（1）AlGaN/GaN材料的生长

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在sapphire衬底上生长AlGaN/GaN材料。通过调节生长温度、气氛和材料比例等参数，获得质量稳定的AlGaN/GaN材料。

（2）肖特基接触结构的设计与制备

采用电子束、光刻和等离子体刻蚀等技术，制备AlGaN/GaNHEMT的肖特基接触结构。通过优化肖特基接触结构的几何形状、厚度和材料，提高接触电阻和漏电流抑制能力。

（3）性能表征

利用4点探针、霍尔效应和电子束退火等技术，对制备的AlGaN/GaNHEMT器件进行性能测试。分析其电学特性、热稳定性能和在高功率、高频率和高温环境下的性能表现。

3.研究意义

本研究将深入探究AlGaN/GaNHEMT肖特基接触技术的制备和性能特点，为其在高功率、高频率和高温工作条件下的应用提供支持。同时，本研究将拓展肖特基接触技术在半导体器件中的应用，为其它器件结构的设计提供参考。