半导体器件的特性.ppt

电子学基础第一章半导体器件的特性§1.1半导体的导电特性§1.2PN结§1.3二极管§1.4双极型晶体管§1.5场效应管§1.1半导体的导电特性一、本征半导体的导电特性二、杂质半导体的导电特性一、本征半导体的导电特性自然界的各种物质，根据其导电能力的不同，可分为导体、绝缘体和半导体三大类。通常将电阻率小于10－4Ω·cm的物质称为导体，例如铜、铝等金属；电阻率大于109Ω·cm的物质称为绝缘体，例如橡胶、塑料等；导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。大多数半导体器件所用材料主要是硅(Si)和锗(Ge)。纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。对于本征半导体来说，由于晶体中共价键的结合力较强，在热力学温度零度(T=0K，相当于－273℃)时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，此时，晶体中没有自由电子。所以，在热力学温度零度时，本征半导体不能导电，如同绝缘体一样。二、杂质半导体的导电特性：本征半导体中虽存在两种载流子，但因本征载流子浓度很低，所以导电能力很差。若在本征半导体中掺入某种特定的杂质，成为杂质半导体，则它们的导电性能将发生显著变化。根据掺杂的不同，杂质半导体可分为N型和P型两种。1、N型半导体如果在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、砷、锑等，则原来晶格中的某些硅原子将被5价杂质原子代替。由于杂质原子最外层有5个价电子，因此它与周围4个硅原子组成共价键时多余一个电子。这个电子不受共价键的束缚，只受自身原子核的吸引，这种束缚较弱，在室温条件下即可成为自由电子，如图所示。2、P型半导体如果在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，此时杂质原子最外层有3个价电子，因此它与周围4个硅原子组成共价键时，由于缺少一个电子而形成空穴，如图所示。§1.2PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电性一、PN结的形成：如果将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，而另一侧掺杂成N型半导体，则在交界处将形成一个PN结(PNjunction)。如图所示，当P型与N型半导体结合时，由于P型半导体空穴浓度大，N型半导体中的自由电子浓度大，空穴将由P区向N区扩散，自由电子则由N区向P区扩散。进入P区的电子及进入N区的空穴，将发生复合而消失，于是，在交界面两侧形成一个由不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，也就是PN结。1、加正向电压，PN结导通：当外电源的正极接P区，负极接N区时，PN结加的是正向电压，这种连接方式称为正向偏置。此时外电场与电场的方向相反，因而削弱了内电场，使空间电荷区变窄，有利于扩散运动的进行，而不利于漂移运动。这样P区和N区的多子就能顺利的通过PN结，同时外电源又不断的向半导体提供正、负电荷，形成较大的扩散电流。称PN结处导通状态，呈现的电阻很小。2、加反向电压，PN结截止：外电源正极接N区，负极接P区时，PN结加的是反向电压。这种连接方式称为反向偏置。这时的外电场Eo与内电场Ei方向一致，加强了内电场，空间电荷区变宽，阻止了扩散运动的进行。几乎没有多子可以通过PN结。此时回路中几乎无电流通过。称PN结处于截止状态，呈现很大的电阻。§1.3二极管一、二极管的结构二、二极管的伏安特性三、二极管的主要参数四、稳压二极管一、二极管的结构在PN结两端引出相应的电极并加上外壳，就制成一个半导体二极管，如图所示。由P区引出的电极叫正(或阳)极(A)，由N区引出的电极叫负(或阴)极(K)，符号中的箭头方向表示正向导通(即电流)方向。二、二极管的伏安特性：1、PN结的伏安特性理论证明，流过PN结的电流与PN结两端的电压之间的关系为式中，称为温度的电压当量，其中k为玻耳兹曼常数，T为热力学温度，q为电子的电量。在室温(300K)时，。2、二极管的伏安特性二极管的伏安特性与PN的伏安特性略有差别，主要是因为：二极管正向偏置时，PN结以外P区和N区的体电阻、电极的接触电阻及引线电阻的存在，使正向电流有所减小；在反向偏置时，由于PN结表面漏电流的存在，使反向电流稍有增大，且随反向电压的增高略有增加。二极管的伏安特性曲线可以用逐点测量的方法测绘出来