半导体器件第二课.ppt

*2.2半导体模型2.3载流子的特性2.4状态和载流子分布中南大学信息科学与工程学院2.2半导体模型2.2.1价键模型2.2.2能带模型2.2.3载流子2.2.4带隙和材料分类2.2半导体模型2.2.1价键模型 孤立原子（硅）晶体状态（金刚石）共享价电子2.2半导体模型2.2.1价键模型T0K（绝对零度）时价键断裂，点缺陷在所有的半导体中存在。2.2半导体模型2.2.2能带模型Si的14个电子中的10个都处于靠近核的深层能级，其余4个价电子相对来说受原子的束缚较弱，如果原子之间的间距足够小，价电子的能态（s态和p态）就应该有适当的修正。Ec是最低可能的导带能量Ev是最高可能的价带能量EG=Ec-Ev是禁带的能量2.2半导体模型2.2.2能带模型价带：0K条件下被电子填充的能量的能带导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带禁带（带隙）：导带底与价带顶之间的能量差2.2半导体模型2.2.3载流子 电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位空穴电子2.2半导体模型2.2.4带隙和材料分类 材料的主要不同之处在于两个能带之间带隙的大小。2.3载流子的特性2.3.1电荷2.3.2有效质量2.3.3本征材料内的载流子数2.3.4载流子数的控制——掺杂2.3载流子的特性2.3.1电荷 导电电子和空穴是电荷粒子。导电电子带负电荷-q,空穴带正电荷+q，载流子电荷大小为q=1.6×10-19C。2.3.2有效质量 晶体中电子的有效质量与半导体材料有关，它不同于真空中电子的质量。2.3载流子的特性2.3.2有效质量2.3载流子的特性2.3.2有效质量电子在真空和晶体中运动的区别： ①电子在半导体晶体内运动，将会与半导体的原子发生碰撞， 使载流子周期性地减速； ②除了外电场，电子在晶体内还受到复杂的晶格势场的影响。因此，不能直接用（2.2）式描述半导体晶体内电子的运动，故而引入有效质量。2.3载流子的特性水油一模一样的球模拟说明两个容器中之球落底时间不同，这是因为浮力不同。换个方向思考，将球落底所受的力只想成重力，不去计算浮力问题，可想成两个容器中球的质量不同，才造成落地时间不同。同理，自由电子与晶体中电子所受的力场不同，所以能量不同，但晶体中的力场不易得知，故换个想法，将晶体中质量修正为有效质量，则可不直接处理力场的问题，因此自由电子的相关公式皆可使用。有效质量是将周期性势场对电子的作用考虑了进去，电子在晶体中远动时可以看作是质量为mn*的自由电子。2.3载流子的特性2.3.2有效质量只要将（2.2）式中的mo换成载流子的有效质量m*,便可描述载流子在晶体中的运动。对于图2.9（b）电子，其运动方程为：式中的mn*是电子的有效质量，将-q换为q、mn*换成mp*，即为空穴的运动方程。2.3载流子的特性2.3.2有效质量表2.1中列出了在室温下硅、锗、砷化镓的电子和空穴的有效质量。2.3载流子的特性2.3.3本征材料内的载流子数本征半导体：杂质含量小于热激发的电子数和空穴数，或者是没有添加其他杂质的天然材料。在本征半导体内，载流子成对出现，电子和空穴的浓度是相等的。2.3载流子的特性2.3.4载流子数的控制——掺杂掺杂：是指控制特殊杂质原子的数量，从而有目的地增加电子或空穴的浓度。2.3载流子的特性2.3.4载流子数的控制——掺杂以价键模型解释掺杂的作用：Ⅴ族元素有5个价电子来取代半导体晶格中的硅原子，Ⅲ族元素有3个价电子来取代半导体晶格中的硅原子。2.3载流子的特性2.3.4载流子数的控制——掺杂以能带模型解释掺杂的作用2.4状态和载流子分布2.4.1态密度2.4.2费米分布函数2.4.3平衡载流子分布2.4状态和载流子分