开关电源输入电路电阻电容解读——这篇宝藏小文档难能可贵(民熔).pdfVIP

开关电源输入电路电阻电容经验汇总

一、放电电阻

放电电阻R1的选择原则是：在容许的情况下，阻值越小越好，以给X电容容量的选择留下足

够的空间。

R1的选择还应考虑耐压（通常选金属氧化膜电阻，电压按0.75降额）和功耗（按额定功率的

0.6降额）。假设，所选电阻的额定功率为Pr，承受的最高输入电压有效值为Vinmax，则有：

R1(Vinmax)2/(0.6×Pr)

（1）如：设Pr2W，Vinmax300V，则R175K，可取R1100K。

R1的另一限制是：其承受的瞬时功耗不能超过额定功率的四倍。R1承受的瞬时最大功耗与浪

涌或雷击经过防护电路后的残压有关。设残压为1200V，则R1还应满足：

R112002/(4×Pr)

（2）将Pr2W代入上式得R1180K，所以取R1100K不满足这一条件，综合考虑应取

R1200K较合理。在此要注意：从放电电阻R1承受的瞬时功耗方面考虑，R1的位置也很重要，放

在最前面显然不合适，放在中间某一位置或后面较好。

如果想要将R1进一步减小，可采用两个或多个电阻并联的形式，这可根据具体情况而定。对

于50A单体采用两个电阻并联，则放电电阻为R1100K。

二、X、Y电容

1、X电容

（1）X电容容量的选定

X电容容量的选择受到放电时间的限制，根据安规要求，断电后输入端口电压放电到安全电

压峰值42.4V的时间不超过1S，可根据下面的经验公式估算：设Cx为所有X电容的总和。

Cx1/(2.2×R1)

（2）将R1100K代入上式得：Cx4.5uF，可取Cx4.4uF，X电容共有两个，每个X电容的容

量为2.2uF。

（3）X电容的耐压要求

X电容的选择还要考虑耐压能力（按额定电压的0.6降额）：由于X电容靠近电源线输入端，

所以必须具备承受瞬时高电压（高达1200V）的能力。

（4）X电容的频率特性（低的ESR和ESL）：

对同样材质的电容器，容量越小，频率特性越好。电容器典型的频率特性是：随着频率的增

加，电容总的等效容抗减小，但当频率增加到某一值时，容抗却反而开始增加。假设把这一频率

定义为电容容抗的转折频率，则电容容量越小，转折频率越高—即频率特性越好。因此，为得到

相同的电容量，可采用将若干小容量电容并联的方式，这样可提高电容的高频特性。

综上所述，电路中的X电容，每个X电容可选用2.2uF电容。其额定电压为275Vac，瞬时耐压

为：1500Vac/1S，2500Vac/0.1S。

2、Y电容

（1）Y电容容量的选定

Y电容容量的选择受到漏电流的限制，根据安规要求，在额定输入电压下，相线或零线对地

的漏电流不超过3.5mA。假设相线或零线分别对地的电容为Cy，则有：

220×2πfoΧCy3.5mA

（2）上式中：fo50HZ为工频频率，代入上式可得Cy(Cy1+Cy3)(Cy2+Cy4)0.056uF，考虑

到设备本身还有一定的漏电流，取Cy0.02uF。则每个Y电容为0.01uF。

（3）Y电容对频率特性的要求参考X电容的选择。

在选择X、Y电容时，用相对较小的电容通过并联获得满足要求的容量较大的电容尤为重要，

这将大大改善电容的高频特性。电容的频率特性还有一重要特点就是：在低于转折频率时，容抗

和频率的关系为：Zc1/(2лfC)—即单个电容的容量越大容抗越小；但是在频率超过转折频率后，

随着频率的增加，不同容量的电容的总的容抗趋于相同。也就是说，对于超高频（频率大于

50MHZ）的信号而言，不同容量的电容（对单只而言），抑制高频干扰的效果是一样的，如0.1uF

等同于0.001uF。所以，仅依靠增加单只电容容量想要提升电路抑制干扰的能力是不可能的，相反

采用多个电容的并联却能得到比较理想的效果。

综上所述，电路中的Y电容，每个Y电容可选用两个4700PF或三个3300PF电容并联。其额定

电压为275Vac，瞬时耐压为：2500Vac/1S，5000Vac/0.1S。