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- 2024-06-25 发布于内蒙古
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学必求其心得,业必贵于专精
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限时规范训练
1.太阳能电池的发展经历了三代。第一代为单晶硅太阳能电池,第二代为多晶硅、非晶硅太阳能电池,第三代就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。请回答下列问题:
(1)晶体硅中Si原子采用的轨道杂化方式是________。
(2)铜的原子序数为________,亚铜离子(Cu+)基态时的电子排布式为________。
(3)硒为第四周期元素,相邻的元素有砷和溴,则三种元素的第一电离能从大到小的顺序为________(用元素符号表示).AsH3的沸点比NH3的低,其原因是_____________________.
(4)与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性,其化合物往往具有加合性,硼酸(H3BO3)在水溶液中能与水反应生成B(OH)4]-而体现一元弱酸的性质.
①NaB(OH)4]中存在的化学键类型有________________。
②B(OH)4]-的立体构型为________。
(5)单晶硅的结构与金刚石的结构相似,若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子间不成键,则得如图所示的金刚砂(SiC)结构;若在晶体硅中所有Si—Si键中插入O原子即得SiO2晶体。①判断
a.SiO2b.干冰c.冰三种晶体的熔点从小到大的顺序是________(用字母表示)。
②在SiC晶体中,每个C原子周围最近的C原子数为________。
③在SiO2晶体中,每个Si原子被________个最小环所共有。
解析:(1)晶体硅中Si原子采用sp3杂化。(2)铜的原子序数为29,Cu+基态时电子排布式为1s22s22p63s23p63d10。(3)同周期主族元素从左到右第一电离能呈增大趋势,但As的最外层处于半充满状态,As的第一电离能大于Se,故第一电离能:Br〉AsSe.NH3分子间存在氢键,故NH3的沸点比AsH3高。(4)①NaB(OH)4]中存在离子键、共价键和配位键。②B(OH)4]-的立体构型为正四面体形.(5)①SiO2是原子晶体,熔点较高,干冰和冰均为分子晶体,熔点较低,且干冰的熔点低于冰。②以1个C为标准计算,1个C连接4个Si,这4个Si又分别连有其他3个C,故每个C周围最近的C原子有4×3=12个.③以1个Si为标准计算,1个Si通过O连接4个Si,这4个Si又分别通过O连有其他3个Si,故每个Si被4×3=12个最小环所共有.
答案:(1)sp3(2)291s22s22p63s23p63d10(3)BrAsSeNH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键(4)①离子键、共价键、配位键②正四面体形(5)①b〈ca②12③12
2.回答下列问题:
(1)过渡金属元素铁能形成多种配合物,如:Fe(H2NCONH2)6](NO3)3三硝酸六尿素合铁(Ⅲ)]和Fe(CO)x等.
①基态氧原子的价电子排布式为________。
②尿素(H2NCONH2)分子中C、N原子的杂化方式分别是________、________.
③配合物Fe(CO)x的中心原子价电子数与配体提供电子数之和为18,则x=________。Fe(CO)x常温下呈液态,熔点为-20。5℃,沸点为103℃,易溶于非极性溶剂,据此可判断Fe(CO)x晶体属于________(填晶体类型)。
(2)O和Na形成的一种只含有离子键的离子化合物的晶胞结构如图,距一个阴离子周围最近的所有阳离子为顶点构成的几何体为________。已知该晶胞的密度为ρg/cm3,阿伏加德罗常数为NA,求晶胞边长a=______cm。(用含ρ、NA的计算式表示)
(3)下列说法正确的是________.
a.第一电离能大小:SP〉Si
b.电负性顺序:CN〈OF
c.因为晶格能CaO比KCl高,所以KCl比CaO熔点低
d.SO2与CO2的化学性质类似,分子结构也都呈直线形,相同条件下SO2的溶解度更大
(4)图(a)是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序,其中c、d均是热和电的良导体。
①图中d单质的晶体堆积方式类型是________。
②单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中含________个σ键,________个π键。
③图(b)是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构,请简要说明该物质易溶于水的原因:________________________________________________________________________
______________________________________________________
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