《晶体硅光伏电池金属电极与焊带接触电阻测试方法 传输模型法》.docx

Q/LB.□XXXXX-XXXX

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ICS

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CCS

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团体标准

T/CPIAFORMTEXTXXXX—202X

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晶体硅光伏电池金属电极与焊带接触电阻测试方法传输模型法（TLM）

Testmethodforcontactresistivityofcrystallinesiliconphotovoltaic

cellmetalelectrodeandweldingtransferlengthmethod（TLM）

FORMDROPDOWN

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FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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晶体硅光伏电池金属电极与焊带接触电阻测试方法

传输模型法

范围

本文件提供了用传输模型法（TLM）测试晶体硅光伏组件光伏电池金属电极与焊带接触电阻的测试方法，包含方法原理、要求、样品制备、测试步骤、数据处理和报告。

本文件适用于暗室环境下晶体硅光伏组件电池与焊带电阻的测量。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB/T14264半导体材料术语

术语和定义

GB/T2297和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

方法原理

在0BB的无主栅电池片上焊接16根焊带，如图1所示，从左到右分别是焊带1、焊带2……，一直到最右边的焊带16；这里前后一致也和图对应

图1焊带和栅线间接触电阻示意图

图2焊带和栅线电路图

图3焊带和栅线电路图——过程图4焊带和栅线电路图——使用

分析图1得出图2电路图，经过测试，焊带上电压＜0.1mV，开路电压为1V；Rfin比Rrib2大很多，Rfin是Rrib2500倍左右，因此在电路计算中忽略不计,从而得出图3。

由图3，得出

R=2R

图1中及公式中说明：

1——玻璃；

2——焊带；

3——测试夹子；

4——电池细栅：

R——测试的电阻值；

D——每次夹子夹住的两根焊带间距；

Rcon——单根焊带与电池的总接触电阻；

Rrib1——延伸出电池片边缘第一根栅线的焊带的电阻；

Rrib2——相邻两根细栅间的焊带电阻；

RT——为电池的电流传输薄层电阻（如TCO的电阻，p+层的电阻）；

R’con——主栅与电流传输层的接触电阻；

Rfin——每相邻两根焊带间细栅的电阻。

【立项评审会议后，标准项目组在绝缘表面测试金属栅线和焊带的接触电阻，以确定电池的电流传输薄层电阻，以及主栅与电流传输层接触电阻影响，如果影响小，公式（1）会简化为公式（2）

R=Rfin+2Rrib1+2Rcon·············（2）】

根据测试结果模拟计算得到Rcon，然后按照公式（3）计算接触电阻率ρcon。

·············（3）

公式（2）中：

ρcon——金属栅线和焊带接触电阻率，单位为毫欧·平方厘米（mΩ·cm2）；

W——焊带与栅线接触的总长度，单位为毫米（mm）；

d——焊带接触细栅长度，单位（mm）；

LT——有效电流传输距离，单位为微米（μm），见图5示意图。

图5电流有效传输距离示意图

要求

微欧计

测量精度：0.1mΩ。

测量环境

温度:23℃±1℃；湿度:60%±20%；暗室环境。

样品制备

电池制备

方阻要求

按照T/CPIA0051—2023晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法传输线模型法（TLM）中方阻要求制备。

电池版图

无需另外定制电池版图，使用计划生产或者研发的电池版图和浆料。

焊带与栅线焊接

焊接工艺按照设计的焊接工艺进行，如焊接工艺，0BB工艺等等。

层压

层压工艺按照使用的胶膜的工艺进行，焊带端距玻璃边缘2cm，电池边缘距玻璃边缘2cm。

测试步骤

7.1样品放在绝缘台上开始测试，测试端子为夹子；以焊带1为起始位置，焊带16