集成电路版图设计习题答案第二章集成电路制造工艺.pdfVIP

集成电路版图设计习题答案第2章集成电路制造工艺

【习题答案】

1．硅片制备主要包括（直拉法）、（磁控直拉法）和（悬浮区熔法）等三种方法。

2．简述外延工艺的用途。

答：外延工艺的应用很多。外延硅片可以用来制作双极型晶体管，衬底为重掺杂的硅单晶（n+），在

衬底上外延十几个微米的低掺杂的外延层（n），双极型晶体管（NPN）制作在外延层上，其中b为基极，

e为发射极，c为集电极。在外延硅片上制作双极型晶体管具有高的集电结电压，低的集电极串联电阻，性

能优良。使用外延硅片可以解决增大功率和提高频率对集电区电阻要求上的矛盾。

ben+p

SiO

2

-

nSi外延层

+

nSi衬底

c

图外延硅片上的双极型晶体管

集成电路制造中，各元件之间必须进行电学隔离。利用外延技术的PN结隔离是早期双极型集成电路

常采用的电隔离方法。利用外延硅片制备CMOS集成电路芯片可以避免闩锁效应，避免硅表面氧化物的淀

积，而且硅片表面更光滑，损伤小，芯片成品率高。外延工艺已经成为超大规模CMOS集成电路中的标准

工艺。

3．简述二氧化硅薄膜在集成电路中的用途。

答：二氧化硅是集成电路工艺中使用最多的介质薄膜，其在集成电路中的应用也非常广泛。二氧化硅

薄膜的作用包括：器件的组成部分、离子注入掩蔽膜、金属互连层之间的绝缘介质、隔离工艺中的绝缘介

质、钝化保护膜。

4．为什么氧化工艺通常采用干氧、湿氧相结合的方式？

答：干氧氧化就是将干燥纯净的氧气直接通入到高温反应炉内，氧气与硅表面的原子反应生成二氧化

硅。其特点：二氧化硅结构致密、均匀性和重复性好、针孔密度小、掩蔽能力强、与光刻胶粘附良好不易

脱胶；生长速率慢、易龟裂不宜生长厚的二氧化硅。湿氧氧化就是使氧气先通过加热的高纯去离子水

（95℃），氧气中携带一定量的水汽，使氧化气氛既含有氧，又含有水汽。因此湿氧氧化兼有干氧氧化和

水汽氧化的作用，氧化速率和二氧化硅质量介于二者之间。实际热氧化工艺通常采用干、湿氧交替的方式

进行。这种干氧一湿氧一干氧相结合的方式可获得结构致密、针孔密度小、质量好、适合光刻的二氧化硅

薄膜，同时又能提高氧化速率，缩短氧化时间。

5.半导体掺杂工艺主要包括（扩散）和（离子注入）两种。

6.扩散工艺为什么要采用两步扩散法（恒定表面源扩散和限定表面源扩散相结合）？

答：恒定表面源扩散虽然能够控制掺入杂质的数量，但不能任意控制表面杂质浓度；而限定表面源扩

散虽然能控制表面杂质浓度，但不能控制掺入杂质的数量。因此为了同时满足对表面杂质浓度、杂质数量

等要求，在实际的生产过程中，通常采用将恒定表面源扩散和限定表面源扩散相结合的方式完成杂质的掺

杂。这种相结合的扩散工艺称为两步扩散工艺。

7．请比较扩散工艺和离子注入工艺的优缺点。

答：

热扩散离子注入

高温、杂质的浓度梯度动能，5~500KeV

动力

平衡过程非平衡过程

杂质浓度受固溶度限制，掺杂浓度过高、过低都无法实现