半导体探测器原理和性能以及碲锌镉探测器原理.docx

半导体探测器原理和性能以及碲锌镉探测器原理

根本半导体探测器原理

根本半导体探测器原理

如图2.1.11所示，半导体探测器有两个电极，并且在两个电极上加有偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时，粒子与晶体发生相互作用产生电子空穴对。在外电压的的驱动下，电子空穴对分别向两级做漂移运动，从而在收集电极上产生感应电荷。产生的感应电荷将在外电路上产生脉冲信号[5]。

图2.1.1-1

图2.1.1-1半导体探测器的工作原理图

根本半导体探测器性能

半导体探测器的主要优点[5：]〔1〕具有很高的能量区分率。电离辐射在半导体介质中产生一对电子-空穴对平均所需能量大约为在气体中产生一对离子所需要