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重庆市第十六届高校教师岗前培训

教案

（教学实践）

班级：2班

学号：80

课程名称：材料合成制备技术

本课内容：气相输运合成法

主讲教师：程江

材料合成制备技术

—气相输运合成法

一、物质化学反应类型

①气相反应

②气-液反应

③气-固反应

④液相反应

⑤固-液反应

图1物质的基本反应类型

1.1气体与物质的相互反应

图2气体与物质的相互反应类型

二、气相输运合成法定义

气相输运合成法，简称气相输运法或VT法，一般是通过加热等条件使物质

挥发或分解出气体，通过输运至温度较低的位置并与其他物质发生反应的材料合

成方法。

三、气相输运法的工艺

3.1设备条件

a)分段控温的管式炉

b)封闭或半封闭的保护性环境，常见的合成容器为具有一定长度的高纯石英

管。

3.2合成步骤

1.将不同的原料（A和B）分别放置于合成容器内相应的位置，抽真空并密封

2.加热原料A，使气体C从原料挥发出来，达到分解平衡，平衡分压为P。

3.热端的C气体向冷端输运并与A发生反应，平衡分压P降低。

4.原料A中继续挥发出C气体。

图3气相输运法合成过程

四、气相输运法的特点

a)提高气体与固体或液体的反应效率。气体源源不断地从原料中分解或挥发，

反应具有可持续性。

b)提高合成物质的提纯。原料经分解或挥发后，难挥发杂质将留在原料区，提

高合成产物的纯度。

c)实现低压下合成某些难合成化合物。

例如GeP、AgGaS等。

2

d)可以合成难以通过固相或固-液反应合成的特殊的化合物，如ZnP。

2

e)化学气相沉积（CVD）外延生长晶体。如在一端放入原料，另一端放入衬底

材料，通过输运方式沉积可获得优质的二维或三维晶体。如以NH和HCl为

3

载气在蓝宝石衬底生长ZnO晶体。

五、常见的气相输运法

1.高温-低温型

2.高温-低温-高温型

3.高温-低温-次高温型

合成容器合成容器

合成容器

图4常见的气相输运法的温场曲线

六、气相输运法的设备

图5两温区合成炉

七、气相输运法的优缺点

7.1优点

1.设备简单

2.安全

3.可控

4.合成产物纯度高

7.2缺点

1.可视化难度大

2.产量较低

八、应用前景

a)常规条件下难以合成的化合物制备（如P化物、S化物）

b)高质量的多元化合物的合成（多元化合物半导体，如CuGaSSe、CdGeAs

x(2-X)2

等）

c)