蚀刻超薄膜的方法及蚀刻液.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101604615A

(43)申请公布日2009.12.16

(21)申请号CN200810168351.8

(22)申请日2008.10.28

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

(72)发明人刘家助陈桂顺张尚文叶志扬

(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人陈红

(51)Int.CI

H01L21/00

H01L21/027

H01L21/311

H01L21/3213

C09K13/00

C03C15/00

C23F1/02

C23F1/14

C23F1/16

C23F1/32

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

蚀刻超薄膜的方法及蚀刻液

(57)摘要

本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方

法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；

形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；

依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除

图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗

扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀

刻剂扩散至光敏层下面的区域而蚀刻光敏

层下面的部分超薄膜。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

未缴年费专利权终止IPC(主分

类):H01L21/00专利

2023-11-03号:ZL2008101683518申请专利权的终止

日权公告

日

权利要求说明书

1、一种超薄膜的蚀刻方法，其特征在于，包含：

提供一衬底，其上具有一超薄膜；

形成一光敏层在该超薄膜之上；

图形化该光敏层；

依照该光敏层的图形蚀刻该超薄膜，以图形化该超薄膜，其中蚀刻该超薄膜的方法

包含利用具有抗扩散性质的一蚀刻液，以防止该蚀刻液中的蚀刻剂扩散至位于该光

敏层下的超薄膜；以及

移除该光敏层。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该蚀刻液中的蚀刻剂为具有立体障

碍的有机酸或有机碱。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该有机酸为羧酸或磺酸。

4、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该有机碱包含氢氧化四甲铵。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该蚀刻液包含一抗扩散剂。

6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该抗扩散剂为甘油或大分子化合物

或高分子化合物。

7、一种超薄膜的蚀刻方法，其特征在于，包含：

提供一半导体衬底，其上有厚度小于100埃的一超薄膜；

形成图形化的一光刻胶层在该超薄膜上，该图形化的光刻胶层有一开口以暴露该超

薄膜的一部分；以及

以一化学蚀刻液蚀刻该超薄膜暴露的部分，其中该化学蚀刻液具有一抗扩散剂以防

止该化学蚀刻液中的一蚀刻剂扩散至该光刻胶层下面区域而蚀刻该超薄膜的未暴露

部分。

8、根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，该蚀刻剂选自由无机酸、有机

酸、无机碱、有机碱与上述任意组合所组成的族群。

9、根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，该无机酸为硝酸、硫酸或盐酸。

10、根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，该有机酸为羧酸或磺酸。

11、根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，该无机碱为氢氧化钠、氢氧化

钾或氢氧化铵。

12、根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，该有机碱包含氢氧化四甲铵。

13、根据权利要求7所述的蚀刻方法，其特征在于，该抗扩散剂为甘