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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101930974A
(43)申请公布日2010.12.29
(21)申请号CN201010207879.9
(22)申请日2010.06.13
(71)申请人万国半导体股份有限公司
地址美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
(72)发明人马督儿·博德
(74)专利代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙)
代理人徐雯琼
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
用于配置超低电压瞬态电压抑制器
的底部源极N型金属氧化物半导体触发的
齐纳箝位
(57)摘要
一种位于半导体衬底承载外延层上
的低压瞬态电压抑制器包含一个底部源极
金属氧化物半导体场效应晶体管(BS-
MOSFET)，它是由漏极区域附近的沟道栅
极构成的，漏极区域包围在设置在半导体
衬底的顶面附近的体区中，其中漏极区域
与体区相接构成一个结型二极管，漏极区
域围绕在外延层顶部的体区中，构成一个
双极型晶体管，顶部电极设置在半导体顶
面上方，作为漏极/集电极端子，底部电极
设置在半导体衬底的底面上，作为源极/发
射极电极。体区还包含一个表面体区接触
区，电连接到体区-至-源极短接，从而将
体区连接到底部电极，作为源极/发射极端
子。漏极也可以短接到栅极上，将BS-
MOSFET配置成双端子器件，其中栅极-至
-源极电压等于漏极-至-源极电压。设置在
沟道栅极上方的漏极/集电极/阴极端子，使
得BS-MOSFET可以在其阈值栅极电压下
开启，因此BS-MOSFET触发双极晶体管
箝位并抑制其阈值电压附近的瞬变电压。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):H01L27/04专利
2023-07-14号:ZL2010102078799申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种位于半导体衬底承载外延层上的低压瞬态电压抑制器，其特征在于，所述的
瞬态电压抑制器还包含：
一个底部源极金属氧化物半导体场效应晶体管BS-MOSFET，它是由设置在漏极区
域附近的栅极构成的，漏极区域包围在设置在所述的外延层顶面附近的体区中，其
中所述的外延层和半导体衬底作为所述的底部源极金属氧化物半导体场效应晶体管
的底部源极区，所述的漏极区域围绕在所述的外延层顶部的体区中，构成一个双极
型晶体管，顶部电极设置在所述的半导体顶面上方，作为漏极/集电极端子，底部
电极设置在所述的半导体衬底的底面上，作为源极/发射极电极；
所述的体区电连接到一个体区-至-源极短接结构上，从而将所述的体区连接到所述
的源极区；以及
所述的漏极/集电极端子连接到所述的漏极区，其中给底部源极金属氧化物半导体
场效应晶体管加上阈值电压时，所述的栅极开启所述的底部源极金属氧化物半导体
场效应晶体管，因此触发所述的双极晶体管箝位并抑制所述的底部源极金属氧化物
半导体场效应晶体管的阈值电压附近的瞬变电压。
2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述的半导体衬底是由重掺
杂的N-型半导体衬底构成的，并承载N-型外延层，用于设置与NPN双极晶体管
并联的底部源极N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
3.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述的瞬态电压抑制器设备
将所述的瞬态电压箝位在大约3V以下的一个电压。
4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述的栅极的长度沿半
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