数据检测电路.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101247212A

(43)申请公布日2008.08.20

(21)申请号CN200710037684.2

(22)申请日2007.02.14

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人喻骞宇郭俊涛

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人逯长明

(51)Int.CI

H04L1/20

H04L1/00

H03M5/14

H03M7/20

H04L25/49

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

数据检测电路

(57)摘要

本发明公开了一种数据检测电路，

包括，接收参考电流，并将参考电流复制

产生复制电流的电流复制电路；接收复制

电流产生基准电流和基准偏置电压，并按

位采样被检测数据，根据被检测数据位的

值结合基准电流产生测试电压的测试电压

产生电路；接收基准偏置电压，根据被检

测数据的位数产生相应数量的且用于区分

测试电压所处电压等级的高值参考电压和

低值参考电压的参考电压产生电路；根据

测试电压和参考电压进行比较分析，并输

出数据检测结果的检测分析电路。本发明

数据检测电路结构简单，并且应用本发明

数据检测电路，只需控制参考电流就能得

到数据检测结果，因此操作方便。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种数据检测电路，其特征在于，包括，

接收参考电流，并将参考电流复制产生复制电流的电流复制电路；

接收复制电流产生基准电流和基准偏置电压，并按位采样被检测数据，根据被检测

数据位的值结合基准电流产生测试电压的测试电压产生电路；

接收基准偏置电压，根据被检测数据的位数产生相应数量的且用于区分测试电压所

处电压等级的高值参考电压和低值参考电压的参考电压产生电路；

根据测试电压和参考电压进行比较分析，并输出数据检测结果的检测分析电路。

2.如权利要求1所述的数据检测电路，其特征在于，所述电流复制电路包括，输入

端，接收输入的参考电流；

第一NMOS管，栅极与漏极短接连通输入端，源极接地；

第二NMOS管，栅极与第一NMOS管的栅极相连，源极接地，漏极连通输出端；

输出端，输出复制电流。

3.如权利要求1所述的数据检测电路，其特征在于，所述测试电压产生电路包括，

第一PMOS管，栅极和漏极短接连通电流复制电路的输出端，源极接Vdd，所述

栅极上的电平为基准偏置电压；

第二PMOS管至第N+1PMOS管，各PMOS管栅极与第一PMOS管栅极相连，源

极接Vdd，漏极输出基准电流；

第一测试保护PMOS管至第N测试保护PMOS管，各测试保护PMOS管的源极接

收相应基准电流，栅极接收所检测数据的一位数据信号，漏极接第一电阻；

第一测试PMOS管至第N测试PMOS管，各测试PMOS管源极与相应测试保护

PMOS管的源极相连，栅极通过反相器接收所检测数据的一位数据信号，漏极接第

二电阻；

第一反相器至第N反相器，各反相器的输入端与相应测试保护PMOS管的栅极相

连，输出端与相应测试PMOS管的栅极相连；

第一电阻，一端与测试保护PMOS管的漏极相连，另一端接地；

第二电阻，一端与测试PMOS管的漏极相连，另一端接地；

输出端，与测试保护PMOS管或测试PMOS管的漏极相连，输出测试电压；

其中所述N为被检测数据的位数。

4.如权利要求3所述的数据检测电路，其特征在于，所述Vdd为1.2V或3.3V。

5.如权利要求3所述的数据检测电路，其特征在于，所述测试保护PMOS管与测

试PMOS管相同。

6.如权利要求3所述的数据检测电路，其特征在于，