形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101226891A

(43)申请公布日2008.07.23

(21)申请号CN200810018941.2

(22)申请日2008.02.01

(71)申请人中国电子科技集团公司第五十五研究所

地址210016江苏省南京市中山东路524号

(72)发明人任春江陈堂胜焦刚陈辰

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所

代理人柏尚春

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

形成氮化镓器件和电路中接地通孔

的方法

(57)摘要

本发明提供了一种形成氮化镓器件

和电路中接地通孔的方法，它包括以下步

骤：(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材

料表面涂覆聚合物；(b)将涂有聚合物一面

安装于压盘上；(c)将衬底11的表面12进

行研磨并抛光减薄；(d)在衬底的表面覆盖

厚度为掩膜层，掩膜层23中有预定位置的

开孔；(e)采用氟基气体的电感耦合等离子

体刻蚀衬底从而获得通孔；(f)保留掩膜

层，用氯基气体的电感耦合等离子体进行

刻蚀以形成电极的接地通孔；(g)去除掩膜

层，并对通孔以及衬底的表面金属化，最

终实现电极的接地。本发明排除了接地引

线的使用，消除了在微波频率下可能引入

的不希望的寄生电感，操作简单、易于技

术上的实现。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2010-09-29授权授权

2008-09-17实质审查的生效实质审查的生效

2008-07-23公开公开

权利要求说明书

1.一种形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，其特征在于，它包括以下步骤：

(a)在铝镓氮化物/氮化镓异质结外延材料的势垒层(15)的上表面和电极(16)表面涂覆

以聚合物(19)；

(b)将涂有聚合物(19)的一面朝下倒扣安装于压盘(21)上，并在聚合物(19)和压盘(21)

之间填充粘合剂(20)；

(c)将衬底(11)的表面(12)采用机械研磨的方法进行研磨并抛光，最终将衬底(11)减

薄到50～100μm；

(d)在衬底(11)的表面(12)覆盖厚度为2-5μm的掩膜层(23)，掩膜层(23)中有与器件或

者电路中需要进行通孔接地的电极(16)正对的用于确定通孔的预定位置的开孔；

(e)采用氟基气体的电感耦合等离子体刻蚀衬底(11)从而获得通孔(24)；

(f)保留掩膜层(23)，换用氯基气体的电感耦合等离子体对铝镓氮化物/氮化镓异质结

材料进行刻蚀以形成电极(16)的接地通孔(17)；

(g)去除掩膜层(23)，并对通孔(17)以及衬底(11)的表面(12)金属化，从而形成电极

(16)到衬底(11)的表面(12)上的一个完整的接头，最终实现电极(16)的接地。

2.根据权利要求1所述的形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，其特征在于，

其中聚合物(19)为聚二甲基戊二酰亚胺。

3.根据权利要求1所述的形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，其特征在于，

其中掩膜层(23)为金属镍。

4.根据权利要求3所述的形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法，其特征在于，

其中掩膜层(23)的制作方法包括以下步骤：

(a)在衬底(11)的表面(12)上涂覆光刻胶，光刻并显影，形成通孔刻蚀区域的光刻胶

层(22)；

(b)在衬底(11)的表面(12)上采用电子束蒸发的方法依次淀积50纳米的金属钛和100

内米的金属镍形成掩膜层(23)，金属镍同时覆盖在光刻胶层(22)上；

(c)将光刻胶层(22)连同其上的金属剥离后形成掩膜层(