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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1703532A
(43)申请公布日2005.11.30
(21)申请号CN200380101029.9
(22)申请日2003.10.09
(71)申请人三菱麻铁里亚尔株式会社;LG电子株式会社
地址日本东京都
(72)发明人樱井英章丰口银二郎黑光祥郎E-C·帕克
(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司
代理人郭煜
(51)Int.CI
C23C14/24
H01J11/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
多晶MgO蒸镀材料
(57)摘要
在含有MgO纯度为99.9％以上、
且相对密度为90％以上的多晶MgO的烧
结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶
MgO蒸镀材料中，多晶MgO中含有的Si
浓度为30ppm以上，小于500ppm。该材
料用作等离子体显示屏材料，其在宽的温
度范围内具有良好的放电应答性，得到提
高屏幕辉度的等离子体显示屏，并且不降
低屏幕的辉度，大幅度减少地址IC数。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
专利权有效期届满IPC(主分
类):C23C14/24专利
2023-10-27号:ZL2003801010299申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种多晶MgO蒸镀材料，其用于等离子体显示屏的保护膜，其中，含有MgO纯
度为99.9％以上、且相对密度为90％以上的多晶MgO的烧结颗粒，在前述多晶
MgO中含有的Si浓度为30ppm以上、小于500ppm。
2.如权利要求1所述的多晶MgO蒸镀材料，其中，多晶MgO蒸镀材料中含有的Si
的浓度为220～480ppm。
3.如权利要求1所述的多晶MgO蒸镀材料，其中，多晶MgO蒸镀材料中含有的Si
的浓度为250～450ppm。
4.如权利要求1所述的多晶MgO蒸镀材料，其中，多晶MgO蒸镀材料中含有的Si
的浓度为280～350ppm。
说明书
技术区域
本发明涉及用作AC型的等离子体显示屏的保护膜材料的成为MgO膜材料的多晶
MgO蒸镀材料。更详细地说，涉及在宽的温度范围内具有良好应答性的MgO膜及
其使用上述材料的成为等离子体显示屏的材料的多晶MgO蒸镀材料。
背景技术
近年来，以液晶(LiquidCrystalDisplay)为主的各种平面显示器的研究开发和实用化
发展很快，其生产正在急速增加。对于彩色等离子体显示屏(PlasmaDisplayPanel、
以下称作PDP)的开发和实用化发展最近也越发活跃。PDP容易大型化，高画质用
的大画面壁挂电视有最短距离，已经制造了对角40英寸的PDP。PDP按照电极结
构分类，分为用电介质玻璃材料覆盖金属电极的AC型、和在放电空间露出金属电
极的DC型。
在最初开发该AC型PDP时，因为电介质玻璃层向放电空间露出，故直接暴露在
放电中，由于离子冲击的喷溅，电介质玻璃层的表面发生变化，使放电开始电压上
升。为此，对具有高升华热的各种氧化物做成该电介质玻璃层的保护膜进行了试验。
该保护膜在和直接放电用的气体接触方面起到了重要的作用。也就是，保护膜需要
的特性包括：(1)低放电电压、(2)放电时的耐喷溅性、(3)快速
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