电子技术基础（第三版）（李居尚）习题集 第1--8章 半导体器件--- 数模和模数转换.docx

第1章半导体器件

一、填空题

1.根据导电能力的不同，物质可分为（）、（）、（）。其中，半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，因其具有很好的（），并且具有（），故可以制成各种不同用途的半导体器件。

导体、半导体、绝缘体、掺杂性、可控性

2.（）是纯净的半导体晶体,其（）和（）较差。为了改善这些性能，通过（）工艺，在本征半导体中掺入某种特定的杂质元素，得到两种杂质半导体，即（）半导体和（）半导体。由于N型半导体和P型半导体仍然保持电中性，因此采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体制作在同块半导体基片上。在它们的交界面处将形成一个（）结。

本征半导体、导电性能、温度稳定性、扩散、P型、N型、PN

3.杂质半导体按照掺入杂质的不同可分为（）和（）两种。

P型半导体、N型半导体

4.杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）。

杂质浓度

5.PN结的单向导电性就是PN结外加正向电压时处于（）状态，外加反向电压时处于（）状态。

导通、截止

6.二极管的反向饱和电流越小，其单向导电性（）。

越好

7.PN结具有（）特性,即当PN结（）时，处于导通状态，当PN结（）时，处于截止状态。PN结还具有一定的（）效应。

单向导电、正向偏置、反向偏置、电容

8.二极管的核心就是（）,因此二极管也具有（）特性。

PN结、单向导电

9.二极管外加正向电压大于（）时才导通。对于硅管来说，当正向电压大于（）伏时，对于锗管来说，正向电压大于（）伏时，认为二极管是处于充分导通状态，此时，认为二极管的导通压降为常数，硅二极管的导通压降约为（）伏,锗二极管的导通压降约为（）伏。

死区电压、0.5、0.1、0.7、0.3

10.二极管外加反向电压时，可近似认为二极管处于截止状态，二极管的（）越小，其（）越好。如果反向电压超过击穿电压以后，二极管被（）,（）急剧增大,很容易因过热面烧坏二极管，因此在使用时,二极管一般要（）电阻。

反向饱和电流、单向导电性、击穿、反向饱和电流、串联

11.二极管的应用范围很广，可以用于（）、（）、（）以及（）等。在分析二极管电路时，根据情况可以将二极管看成（）或（）。

整流、钳位、限幅、开关电路、理想二极管、恒压二极管

12.在实际选择二极管时，主要考虑（）、（）、（）、（）等主要参数，根据使用条件选择满足要求的二极管。

最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流、最高工作频率

13.稳压二极管可工作在（）、（）区和（）区，三种工作区域。

正向导通、反向截止、反向击穿

14.当稳压二极管工作在（）区时，流过管子的电流在较大范围内变化，但管子两端的电压变化很小,因此具有（）作用。

反向击穿、稳压

15.使用稳压管组成稳压电路时，需要注意三个问题，首先应使外加电源的极性保证稳压管工作在（）区；其次,稳压管应与负载（）；最后，稳压管电路中必须接入一个合适的（），以调节稳压管电流，使其不超过规定的最大电流值，以免因过热面挠坏稳压管,也不低于规定的最小电流值，以免失去稳压作用。

反向击穿、并联、限流电阻

16.要使三极管处于放大状态，发射结必须（），集电结必须（）。

正偏、反偏

17.三极管具有电流放大作用的实质是利用（）电流对（）电流的控制。

基极、集电极

18.工作在放大区的三极管，当IB从20μA增加到40uA时，IC从1mA变到2mA，它的β值为（）。

50

19.当三极管作为放大元件使用时需要构成输入和输出回路，三极管必有一个电极作为两个回路的公共端子。根据公共端的不同，三极管可以有三种组态，即（）、（）和（）。

共发射极、共集电极、共基极

20.放大电路放大的对象是一个（），放大的本质是（）。

变化量、能量的控制与转换

21.双极型三极管有两种类型，即（）型和（）型。任一三极管都有三个区,即（）、（）和（）。从三个区引出的电极分别为（）、（）和（）。有两个PN结，即（）和（）。NPN、PNP、发射区、基区、集电区、发射极、基极、集电极、集电结、发射结

22.三极管能够放大电信号，主要是因为其具有（）作用。为了使三极管具有电流放大作用,需满足的内部条件是，发射区掺杂浓度（），基区做得（）且掺杂浓度（），集电区的面积（）。

电流放大、很高、很薄、很低、很大

23.三极管接入电路时，需要满足一定的外部条件才能够放大电信号，即发射结（），集电结（）。

正向偏置、反向偏置

24.三极管三个电极的电流关系为（），描述三极管放大