半导体器件 第16-7部分：微波集成电路 衰减器 征求意见稿.docx

GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16-7:2022

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半导体器件第16-7部分:微波集成电路衰减器

1范围

本文件规定了微波集成电路衰减器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

IEC60747-1:2006半导体器件第1部分：总则（Semiconductordevices-Part1:General）IEC60747-1:2006/AMD1:2010

IEC60747-4:半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管(Semiconductordevices-Descretedevices-Part4:Microwavediodesandtransistors)

IEC61340-5-1:静电学第5-1部分：电子器件的静电防护通用要求(Electrostatics-Part5-1:Protectionofelectronicdevicesfromelectronicphenomena-Generalrequirements)

注：GB/T37977.51-2023静电学第5-1部分：电子器件的静电防护通用要求（IEC61340-5-1：2016IDT）

IECTR61340-5-2:静电学第5-2部分：电子器件的静电防护用户指南(Electrostatics-Part5-2:Protectionofelectronicdevicesfromelectronicphenomena-Userguide)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

参考态referencestate通态

最小衰减态。3.2

衰减态attenuationstate衰减大于参考态的衰减状态。

3.3

传输损耗transmissionlossLtrans

在功率传输曲线Po(dBm)=f(Pi)线性区，入射功率与输出功率之比。注1：在线性区，△Po(dBm)=△Pi(dBm)。

注2：传输损耗单位一般为dB。

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3.4

插入损耗insertionloss

Lins

功率传输曲线Po(dBm)=f(Pi)线性区，在参考态下的入射功率与输出功率之比。注1：在线性区，△Po(dBm)=△Pi(dBm)。

注2：插入损耗单位一般为dB。

[来源：IEC60747-16-4:2004/AMD1:2009，3.1，删除了开关端口状态，增加了参考态。]

3.5

衰减量attenuationvalueAatt

在指定衰减状态下，插入损耗与传输损耗的差值。

3.6

衰减范围attenuationrange

Aran

衰减控制可提供的最大衰减量与最小衰减量的差值。

3.7

衰减精度attenuationaccuracy

Aaur

标称衰减量与测试衰减量之间的最大差值

3.8

衰减精度均方根attenuationaccuracy(RMS)

Aaur(RMS）

衰减精度的均方根值

3.9

输入回波损耗inputreturnloss

Lret(in)

输入端的入射功率与输入端的反射功率之比。[来源：IEC60747-16-6:2019，3.4]

3.10

输出回波损耗outputreturnloss

Lret(out)

输出端的入射功率与输出端的反射功率之比。[来源：IEC60747-16-6:2019，3.5]

3.11

ndB压缩输入功率inputpoweratndBcompression

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Pi(ndB)

传输损耗比线性区传输损耗增加ndB时的输入功率。

注1：对于电调衰减器，n一般为0.25，对于数控衰减器，n一般为0.1。3.12

交调失真intermodulationdistortion

Pn/P1

在规定的输入功率下，n阶交调信号输出功率与输出信号基频功率之比。注1：IMDn是n阶交调失真的通用缩写。

[来源：IEC60747-4:2007AMD1:2017，7.2.19]

3.13

截距点功率(对于交调产物)powerattheinterceptpoint(forintermodulationpr