YST 1105-2024《半导体封装用键合银丝》.docxVIP

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YS

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T1105—202×代替YS/T1105-2016

半导体封装用键合银丝

Silverbondingwireforsemiconductorpackage

（报批稿）

202×-XX-XX发布202×-XX-XX实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

I

YS/T1105—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件代替YS/T1105-2016《半导体封装用键合银丝》，与YS/T1105-2016相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：

a）增加了术语和定义（见第3章）；

b）更改了产品分类，将Ag99AuPd更改为银合金丝，增加了Ag99.99、Ag98AuPd牌号，修改了型号的命名（见4.1，2016年版的3.1.1）；

c）更改了产品标记表述形式（见4.2，2016年版的3.1.2）；

d）增加了了Ag99.99、Ag98AuPd的化学成分要求（见5.1）；

e）更改了尺寸及允许偏差要求，长度应符合需方要求，偏差范围为±1%，增加了Ag99.99、

Ag98AuPd直径及其允许偏差的要求（见5.2，2016年版的3.3）；f）增加了Ag99.99、Ag98AuPd机械性能要求（见5.3.1）；

g）增加了表面质量要求，产品表面缺陷不超过直径允许偏差（见5.4.3）；

h）更改了丝材应力的表述，将丝材应力改为卷曲及轴向扭曲（见5.5，2016年版的3.6）；

i）增加了化学成分试验方法（见6.1）；

j）删除了密度要求及试验方法（见2016年版的4.2）；

k）更改了长度、表面质量、卷曲及轴向扭曲、放丝性能试验方法，引用GB/T8750-2022《半导体封装用金基键合丝、带》附录（见6.2、6.4、6.5、6.7，2016年版的4.8、4.5、4.6、4.9）；

l）更改了放丝性能检验结果的判定，检验不合格时，允许双倍抽样进行重复试验，若仍有试样不合格时，判该批产品不合格（见7.5.3，2016年版的5.5.2）；

m）更改了产品标签内容，将“银含量”改为“牌号”，增加了本文件编号（见8.1.1，2016年版的6.1.2）；

n）更改了贮存温湿度要求，由“温度：16℃~26℃,相对湿度：20%～60%”更改为“温度：10℃~40℃,相对湿度：≤70%”，增加了贮存时间要求（见8.4，2016年版的6.4）；

o）更改了质量证明书要求，由“质量证明书”改为“随行文件”，删除了需方名称、合同号，增加了本文件编号（见8.5，2016年版的6.5）；

p）删除附录A、附录B、附录D（见2016年版的附录A、附录B、附录D）；

q）删除了附录C2单缘低轴和0.5双缘低轴的产品线轴尺寸要求（见附录A，2016年版的附录C）。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）归口。

本文件起草单位：烟台一诺电子材料有限公司、贺利氏（招远）贵金属材料有限公司、北京达博有色金属焊料有限责任公司、浙江佳博科技股份有限公司、上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司、深圳金斯达半导体材料有限公司、山东科大鼎新电子科技有限公司、贵研铂业股份有限公司、丰睿成（湖北）半导体材料有限公司。

本文件主要起草人：林良、王婷、刘团结、闫茹、薛子夜、周钢、李天祥、苗海川、赵义东、刘炳磊、付建彬、张虎、周文艳、程林峰、刘新娜、康菲菲、李军。

本文件于2016年首次发布为YS/T1105-2016，本次为第一次修订。

1

YS/T1105—XXXX

半导体封装用键合银丝

1范围

本文件规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合银丝（以下简称“键合银丝”）的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。

本文件适用于半导体封装用键合银丝。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T8750—2