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高抗湿性NiO基丙酮气体传感器的研究

随着数字化和信息化的高速发展，传感器作为感知和收集信息的主要方法与手段，成为

现代化生产的基础，在人们的生活中不可或缺。其中，金属氧化物半导体（MOS）气体传

感器其以价格适中，可靠性高，功耗低，操作简单等优点而受到了研究者们广泛关注。尽管

基于MOS的气体传感器具有众多优势，但是湿度大大降低了这类传感器在实际使用环境中

的检测精度，致使其主要用于定性与半定量的场景，限制了应用范围和领域。一般来说，p

型MOS具有较高的氧吸附能力，在高湿度条件下具有良好的稳定性，可用于设计具有高抗

湿性的气体传感器。由于传导方式的限制使得p型氧化物半导体的灵敏度低于具有相同形貌

的n型MOS气体传感器，需要通过掺杂改性或其它手段提高其灵敏度，从而满足不同浓度

气体检测的要求。本文主要通过异价金属离子掺杂与异质结构筑的方法改善p型氧化物半导

体材料NiO气敏性能，构建抗湿性好，灵敏度高的丙酮气体传感器，具体的研究内容如下：