高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其半导体性能探索.pdfVIP

摘要

高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备

及其半导体性能探索

立方氮化硼（c-BN），是一种人工合成的超宽禁带半导体材料，其禁带宽度

在6.1-6.4eV范围内，具有优异的物理化学性能，可通过掺杂形成n型或p型半

导体材料，在力、热、光、电子学等领域有很大的应用潜力。此外，它具有仅次

于金刚石的硬度、介电常数小、寄生电容小、工作温度高、抗高能粒子辐射、耐

腐蚀等优点，且材料的击穿电压较高，使得器件更适合在高温、强辐射等恶劣环

境下稳定工作，是极端电子学材料。

目前，由于生长工艺的限制以及晶格失配等问题，制备稳定的高质量、大面

积c-BN薄膜还面临很大的困难，此外，c-BN薄膜在制备过程中不可避免地存在

应力过大的问题，这些问题限制了c-BN薄膜的工业应用。基于此，本文主要研

究射频磁控溅射法制备高质量、高立方相含量的c-BN薄膜，通过降低内应力提

高c-BN薄膜的稳定性，并对c-BN薄膜的半导体性能进行了相应探索。

本论文主要研究内容为：

（1）不同工艺条件对生长c-BN薄膜的影响。c-BN的生长窗口狭窄，与磁

控溅射沉积中的气体、偏压、温度、衬底等条件都密切相关。在以往的工作基础

上，本论文改变氮气流量和负偏压，发现增加氮气流量，薄膜表面变得致密，结

晶度改善，薄膜生长速度加快；随着负偏压的增加，薄膜表面致密平整，当负偏

压为100V左右时，c-BN开始形核并生长。此外，不同衬底表面对c-BN薄膜的

形核和生长有重要影响。在相同的工艺参数下，在h-BN表面生长，得到的是100%

六方相的h-BN薄膜；在Si（100）表面生长，得到的薄膜包含c-BN和h-BN；

在c-BN表面生长，能够得到100%立方相的c-BN薄膜。

（2）不同手段降低c-BN薄膜内应力的研究。针对实验上实施高的负偏压

引起能量离子轰击会造成薄膜内应力的累积，易发生表面开裂的问题，本论文尝

试采用两步法解决，即在第一步获得c-BN形核面的基础上，其他参数保持不变，

第二步将负偏压降到0V后继续生长。然而第二步得到的薄膜是纯h-BN，表明

即使在c-BN形核面上再次生长，完全不加负偏压0V也不能获得c-BN，具体的

负偏压窗口仍需要进一步探索。本论文还提出采用后期高温退火的手段来释放薄

膜内部累积的应力。结果显示，随着退火温度从700℃逐渐升到900℃，c-BN

的红外特征峰向低波数移动，说明薄膜内应力降低，薄膜的稳定性提高。

（3）退火对c-BN薄膜的半导体性质的影响。系统地研究了退火对c-BN薄

膜的光学、电学性质以及整流性能的影响，UV-Vis、霍尔和I-V等测试结果表明：

随着退火温度的增高，c-BN薄膜的禁带宽度变小；薄膜为p型的，800℃退火

后的c-BN薄膜的迁移率更高；制备的pn结具有明显的整流特性，700℃退火后

的反向漏电流更小。

本论文的实验结果表明，射频磁控溅射方法中c-BN薄膜的生长与氮气流量、

负偏压和衬底表面密切相关，通过上述工艺优化，能够制备出高质量、100%立

方相含量的c-BN薄膜，采用后期高温退火能够进一步提升薄膜的稳定性和半导

体性能。通过本论文的工作，为c-BN薄膜在高温大功率半导体器件的应用提供

了技术参考。

关键字：立方氮化硼薄膜、射频磁控溅射、退火、半导体性能

Abstract

Preparationofhigh-qualitycubicboronnitridethinfilmsbyRF

magnetronsputteringandtheirsemiconductingproperties

Cubicboronnitride(c-BN)isasyntheticultra-widebandgapsemiconductor

materialwithabandgapof6.1-6.4eV.Ithasexcellentphysicalandchemical

properti