第五章半导体器件工艺学之光刻.pptVIP

接近式光刻机接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射接触和接近式光刻机扫描投影式光刻机70年代末80年代初，现在仍有使用，用来实现1μm的非关键层使用1：1掩膜版特点：亚微米尺寸的掩膜版制作困难扫描投影式光刻机步进扫描式光刻机近年主流设备，用于形成0.25μm及以下尺寸使用投影掩膜版（1：1，4：1，5：1，10：1）特点：高分辨率精度易受环境影响（如振动）光路复杂，设备昂贵步进扫描光刻机步进投影式光刻机非光学曝光电子束曝光X射线曝光离子束曝光电子束曝光机2.曝光光源：最常用的两种紫外光源：汞灯准分子激光汞灯：发出240nm—500nm之间的辐射准分子激光：248nm氟化氪激光器（常用）193nm氟化氩激光器（下一代技术）157nm波长的激光器（潜在的0.15μmCD的光源）先进和特殊用途的光源：X射线电子束离子束3.光学光刻特性光谱数值孔径分辨率焦深①光谱DUV（248nm—193nm）VUV（157nm）EUV（13nm）光刻区域：黄灯②透镜的数值孔径数值孔径（NA）：透镜收集衍射光的能力NA测量透镜能够接收多少衍射光，并且通过把这些衍射光会聚到一点成像NA=透镜的半径/透镜的焦长可以通过增加镜头半径来增加NA并俘虏更多衍射光的方式。这也意味着光学系统更加复杂更加昂贵。③分辨率分辨率R=Kλ/NA该公式表示影响光刻胶上形成几何图形的能力的参数有:波长λ、数值孔径NA、工艺因子K④焦深焦点周围的一个范围，在这个范围内图像连续地保持清晰，这个范围称为焦深或DOF。焦深是焦点上面和下面的范围，焦点可能不是正好在光刻胶层中心，但是焦深应该穿越光刻胶层上下表面曝光系统就是找到并维持整个硅片和不同硅片的最佳聚焦DOF=λ/2（NA）2焦深（DOF）§5-1光刻材料一、概述制作掩膜版将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上刻蚀离子注入（掺杂）光刻使用光敏光刻胶材料和受控制的曝光形成三维图形光刻是IC制造中关键步骤1/3成本、40%—50%生产时间、决定CD多次光刻光刻材料：光刻胶掩膜版二、光刻胶（PR）1.光刻胶的特性及作用是一种光敏材料通过曝光使光刻胶在显影液中的溶解度发生改变可溶→不可溶（负胶）不可溶→可溶（正胶）光刻胶的作用：保护下层材料光刻胶：负性光刻胶正性光刻胶2.光刻胶的组成

树脂感光剂溶剂另外还有添加剂负性光刻胶树脂（可溶于显影液）曝光后感光剂产生自由基自由基使树脂交联而不溶于显影液显影后图形与掩膜版相反正性光刻胶树脂（本身是可溶于显影液，感光剂是一种强力溶解抑制剂）曝光后感光剂产生酸酸提高树脂在显影液中的溶解度显影后图形与掩膜版相同对比：正、负光刻胶负胶：显影泡胀而变形，使分辨率下降曝光速度快，与硅片粘附性好价格便宜2μm分辨率正胶：无膨胀，良好的线宽分辨率和基片之间的粘附性差当前主要使用正胶3.光刻胶发展传统I线光刻胶（I线紫外波长365nm，0.35μmCD）深紫外（DUV）光刻胶（248nm，0.25μmCD）深紫外光刻胶的化学放大（193nm，0.18μmCD）4.光刻胶的特性分辨率：将硅片上两个邻近的特征图形区分开的能力对比度：光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度敏感度：产生一个良好图形所需的最低能量粘滞度：液体光刻胶的流动特性的定量指标粘附性：光刻胶粘着衬底的强度抗蚀性：在后面的加工工艺中保持化学稳定性三、掩膜版掩膜版：包含整个硅片上所有管芯投影掩膜版：包含一个管芯或几个管芯两个基本部分：基板（石英版）+不透光材料基板要求：低温度膨胀、高光学透射、耐腐蚀、材料表面和内部没有缺陷超微粒干版：AgBr（卤化银）铬版：Cr（铬）+氧化铬氧化铁版：Fe2O3（氧化铁）投影掩模板采用电子束光刻直写式投影掩模板的损伤：掉铬、表面擦伤、静电放电、灰尘颗粒投影掩模板的保护膜：§5-2光刻工艺正性和负性光刻工艺：负性光刻正性光刻光刻的基本步骤气相成底膜