半导体器件工艺学之刻蚀.pptVIP

§1刻蚀的概念

§2刻蚀工艺

§3刻蚀新技术

;（一）基本概念

刻蚀：用化学的或物理的或化学物理结合的方式有选择的去除材料;刻蚀速率

刻蚀剖面

刻蚀偏差

选择比

均匀性

;刻蚀速率：去除材料的速度

单位：A/min

公式：△T/t;刻蚀剖面：刻蚀后图形的侧壁形状

各向同性各向异性

各向异性对制作亚微米器件很关键

;刻蚀后线宽或关键尺寸间距的变化

通常是由横向钻蚀引起。;选择比：两种材料刻蚀速率的比

公式：S=Ef/Er

高选择比意味着只刻除想要刻去得那层材料。;衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数

保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键

难点在于在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保持均匀性

;（微负载效应）深宽比相关刻蚀：具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比低深宽比硅槽的刻蚀速率慢

对于高深宽比的图形窗口，化学刻蚀剂难以进入，反应生成物难以出来;§2刻蚀工艺

分类

按照材料

金属刻蚀

介质刻蚀

硅刻蚀

按照刻蚀工艺

湿法刻蚀

干法刻蚀;材料刻蚀有：金属刻蚀，介质刻蚀和硅刻蚀

介质刻蚀：

（如SiO2）接触孔和通孔制作需要刻蚀介质

电介质刻蚀一般用含碳氟的气体，如CF4,CHF3,CH2F2,C4F8,C3F6等，然后再加上适当的Ar,O2,N2等气体?;硅刻蚀：

如：刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容

刻蚀硅/多晶硅一般用Cl2,HBr,O2等气体

金属刻蚀：

如：金属层上去除铝合金，制作互连线

刻蚀Al金属一般用Cl2,BCl3,CHF3,N2等气体;一、湿法刻蚀

液体化学试剂（酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面材料

反应产物必须是易挥发性的或可溶于刻蚀剂的物质，否则会成为沉淀，影响刻蚀的进行

;特点：

各向同性难以精确控制线宽和获得精细图形

难控制参数化学试剂处理

高选择性无离子体损伤设备简单

方式：浸泡喷射

应用：通常用于大尺寸刻蚀（＞3μm尺寸），一般用于整体剥离或去除干法刻蚀后的残留物等

;利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀???目的

特点：横向钻蚀小，无化学废液，分辨率高，细线条，操作安全，简便；处理过程未引入污染；易于实现自动化，表面损伤小。

缺点:成本高,设备复杂。

;

等离子刻蚀

桶式

下游式

溅射与离子束铣蚀

离子束刻蚀

反应离子刻蚀(RIE)

高密度等离子刻蚀

反应离子刻蚀

;下游式刻蚀系统;离子束铣(IonMilling)是近年来发展较快的一种离子剥离技术。该技术主要利用携带能量的离子轰击靶材料所产生的物理溅射刻蚀效应;离子刻蚀速率表示如下:

dh(H)/dt=R(H)/cos(H)=R(H)[1+tan2(H)]1/2;反应离子刻蚀(RIE)

反应离子刻蚀(RIE)是一种物理和化学共同作用的刻蚀工艺,利用高频电场下气体辉光放电产生的离子轰击的物理效应和活性粒子的化学效应相结合来实现加工目的的一种技术。一般来说,它具有较高的刻蚀速率,良好的方向性的选择性,能刻蚀精细结构的图形。（磁增强反应离子刻蚀系统，电子回旋共振刻蚀系统）;;深层反应离子刻蚀(DRIE)

系统己经足以刻蚀深宽比超过50的深槽硅结构，对于光阻的刻蚀选择比己超过100:1，刻蚀深度均匀度也可以控制在±3%以内。

;先进的IC技术中刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是采用单片处理的高密度等离子体刻蚀技术，高密度等离子体刻蚀可以在高深宽比图形中获得各向异性刻蚀

标准等离子体刻蚀，对于0.25μm以下尺寸，刻蚀基难以进入高深宽比图形，刻蚀生成物难以从高深宽比图形出来。

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解决：低压，以增加气体分子和离子的平均自由程。但同时由于压力减少而减少了离子密度，从而降低了刻蚀速率，所以采用高密度等离子体技术，以产生足够的离子，从而获得可接受的刻蚀速率

;ICP刻蚀的基本机理

ICP刻蚀过程主要包括两部分

1：刻蚀气体通过电感耦合的方式辉光放电,产生活性游离基、亚稳态粒子、原子等以及它们之间的化学相互作用;

2：这些活性粒子与基片固体表面的相互作用。;ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响

电学参数,包括电源、频率、电子偏压

环境参数包括压力、温度、气体选用与分配、气体流量、磁场强度;.

设备参数,包括电极面积/形状、反应腔几何形状、反应腔材料、反应腔体积、电极材

料、气体配比设计;中微发布PrimoD-RIE刻蚀设备，面向22纳米及以下工艺

中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称